• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Avançada
  • Физико-химические основы жидко...
  • Citar
  • Enviar por SMS
  • Enviar por email
  • Imprimir
  • Exportar registo
    • Exportar para RefWorks
    • Exportar para EndNoteWeb
    • Exportar para EndNote
  • Permanent link
Физико-химические основы жидкофазной эпитаксии

Физико-химические основы жидкофазной эпитаксии

Detalhes bibliográficos
Autor principal: Уфимцев В. Б. Всеволод Борисович
Outros Autores: Акчурин Р. Х. Рауф Хамзинович
Idioma:russo
Publicado em: Москва, Металлургия, 1983
Assuntos:
Полупроводники жидкие > (электроэнергетика)
полупроводниковые соединения
получение
жидкофазная эпитаксия
физико-химическая структура
кристаллохимические свойства
классификация
кинетика
жидкие фазы
наращивание
слои
Formato: Livro
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=306794
  • Exemplares
  • Descrição
  • Registos relacionados
  • Registo fonte

Registos relacionados

  • Жидкие полупроводники
    Por: Глазов В. М. Василий Михайлович
    Publicado em: (Москва, Наука, 1967)
  • Кинетика образования и структуры твердых слоев
    Por: Александров Л. Н. Леонид Наумович
    Publicado em: (Новосибирск, Наука, 1972)
  • Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе
    Por: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
    Publicado em: (Москва, Энергия, 1974)
  • Процессы роста полупроводниковых кристаллов и пленок
    Publicado em: (Новосибирск, Наука, Сибирское отделение, 1981)
  • Полупроводниковые приборы и электронная аппаратура межвузовский сборник
    Publicado em: (Кишинев, Штиинца, 1978)