Siirry sisältöön
VuFind
  • Kirjaudu sisään
    • English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Tarkennettu
  • Физико-химические основы легир...
  • Sitaatti
  • Tekstiviesti
  • Lähetä sähköpostilla
  • Tulosta
  • Vie tietue
    • Vienti: RefWorks
    • Vienti: EndNoteWeb
    • Vienti: EndNote
  • Lisää suosikkeihin
  • Pysyvä linkki
Физико-химические основы легирования полупроводников

Физико-химические основы легирования полупроводников

Tallennettuna:
Bibliografiset tiedot
Päätekijä: Глазов В. М. Василий Михайлович
Muut tekijät: Земсков В. С. Виктор Сергеевич (340), Абрикосов Н. Х.
Kieli:venäjä
Julkaistu: Москва, Наука, 1967
Aiheet:
легирование
физико-химические механизмы
ионизация
химические элементы
кулоновские взаимодействия
легирующие элементы
взаимодействие
германий
кремний
растворимость
получение
заданные свойства
расплавы
кристаллизация
Aineistotyyppi: Kirja
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=303401
Tagit: Lisää tagi
Ei tageja, Lisää ensimmäinen tagi!
  • Saatavuustiedot
  • Kuvaus
  • Kommentit
  • Samankaltaisia teoksia
  • Henkilökuntanäyttö
Lisää ensimmäinen kommentti!
Kirjaudu sisään ensin

Samankaltaisia teoksia

  • Металлохимия комплексного легирования
    Tekijä: Приходько Э. В. Эдуард Васильевич
    Julkaistu: (Москва, Металлургия, 1983)
  • Свойства легированных полупроводников
    Julkaistu: (Москва, Наука, 1977)
  • Использование ядерного легирования для получения высокоомного кремния
    Tekijä: Емец Е. Г. Евгений Геннадьевич
    Julkaistu: (2016)
  • Жидкофазная эпитаксия кремния
    Julkaistu: (Москва, Металлургия, 1989)
  • Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников пер. с англ.
    Julkaistu: (Москва, Мир, 1982)