• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Udvidet
  • Физико-химические основы легир...
  • Citér dette
  • Stav dette
  • Email dette
  • Udskriv
  • Eksportér post
    • Eksportér til RefWorks
    • Eksportér til EndNoteWeb
    • Eksportér til EndNote
  • Permanent link
Физико-химические основы легирования полупроводников

Физико-химические основы легирования полупроводников

Bibliografiske detaljer
Hovedforfatter: Глазов В. М. Василий Михайлович
Andre forfattere: Земсков В. С. Виктор Сергеевич (редактор), Абрикосов Н. Х.
Sprog:russisk
Udgivet: Москва, Наука, 1967
Fag:
Полупроводники > Легирование ядерное
легирование
физико-химические механизмы
ионизация
химические элементы
кулоновские взаимодействия
легирующие элементы
взаимодействие
германий
кремний
растворимость
получение
заданные свойства
расплавы
кристаллизация
Format: Bog
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=303401
  • Beholdninger
  • Beskrivelse
  • Lignende værker
  • Medarbejdervisning

Lignende værker

  • Металлохимия комплексного легирования
    af: Приходько Э. В. Эдуард Васильевич
    Udgivet: (Москва, Металлургия, 1983)
  • Использование ядерного легирования для получения высокоомного кремния; Изотопы: технологии, материалы и применение
    af: Емец Е. Г. Евгений Геннадьевич
    Udgivet: (2016)
  • Жидкофазная эпитаксия кремния
    Udgivet: (Москва, Металлургия, 1989)
  • Свойства легированных полупроводников
    Udgivet: (Москва, Наука, 1977)
  • Легирование полупроводников методом ядерных реакций
    Udgivet: (Новосибирск, Наука, 1981)