• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
بحث متقدم
  • Физико-химические основы легир...
  • استشهد بهذا
  • أرسل هذا في رسالة قصيرة
  • أرسل هذا بالبريد الإلكتروني
  • طباعة
  • تصدير التسجيلة
    • تصدير إلى RefWorks
    • تصدير إلى EndNoteWeb
    • تصدير إلى EndNote
  • رابط دائم
Exportación Completada — 
Физико-химические основы легирования полупроводников

Физико-химические основы легирования полупроводников

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: Глазов В. М. Василий Михайлович
مؤلفون آخرون: Земсков В. С. Виктор Сергеевич (редактор), Абрикосов Н. Х.
اللغة:الروسية
منشور في: Москва, Наука, 1967
الموضوعات:
Полупроводники > Легирование ядерное
легирование
физико-химические механизмы
ионизация
химические элементы
кулоновские взаимодействия
легирующие элементы
взаимодействие
германий
кремний
растворимость
получение
заданные свойства
расплавы
кристаллизация
التنسيق: MixedMaterials كتاب
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=303401
  • المقتنيات
  • الوصف
  • مواد مشابهة
  • عرض للأخصائي

مواد مشابهة

  • Металлохимия комплексного легирования
    حسب: Приходько Э. В. Эдуард Васильевич
    منشور في: (Москва, Металлургия, 1983)
  • Жидкофазная эпитаксия кремния
    منشور في: (Москва, Металлургия, 1989)
  • Использование ядерного легирования для получения высокоомного кремния; Изотопы: технологии, материалы и применение
    حسب: Емец Е. Г. Евгений Геннадьевич
    منشور في: (2016)
  • Свойства легированных полупроводников
    منشور في: (Москва, Наука, 1977)
  • Легирование полупроводников методом ядерных реакций
    منشور في: (Новосибирск, Наука, 1981)