MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 303401
005 20231102001611.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\328624 
090 |a 303401 
100 |a 20150902d1967 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a a z 001zy 
200 1 |a Физико-химические основы легирования полупроводников  |f В. М. Глазов, В. С. Земсков 
210 |a Москва  |c Наука  |d 1967 
215 |a 371 с.  |c ил. 
320 |a Библиогр.: с. 353-364. 
320 |a Предметный указатель: с. 365-367. 
606 1 |a Полупроводники  |x Легирование ядерное  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50567  |9 69220 
610 1 |a легирование 
610 1 |a физико-химические механизмы 
610 1 |a ионизация 
610 1 |a химические элементы 
610 1 |a кулоновские взаимодействия 
610 1 |a легирующие элементы 
610 1 |a взаимодействие 
610 1 |a германий 
610 1 |a кремний 
610 1 |a растворимость 
610 1 |a получение 
610 1 |a заданные свойства 
610 1 |a расплавы 
610 1 |a кристаллизация 
675 |a 621.315.592.002  |v 3 
700 1 |a Глазов  |b В. М.  |g Василий Михайлович 
701 1 |a Земсков  |b В. С.  |g Виктор Сергеевич 
702 1 |a Абрикосов  |b Н. Х.  |4 340 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20150902 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20151023  |g RCR 
942 |c BK