Процессы рекомбинации в квантовых точках GaN в матрице AIN, автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Спец. 01.04.10
| 第一著者: | Александров И. А. Иван Анатольевич |
|---|---|
| 団体著者: | Российская академия наук (РАН) Сибирское отделение (СО) Институт физики полупроводников (ИФП) |
| その他の著者: | Журавлев К. С. Константин Сергеевич (727) |
| 要約: | Защита сост. 23.06.2015 г. |
| 出版事項: |
Новосибирск, 2015
|
| 主題: | |
| フォーマット: | 図書 |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=302050 |
類似資料
Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN
著者:: Олешко В. И. Владимир Иванович
出版事項: (2013)
著者:: Олешко В. И. Владимир Иванович
出版事項: (2013)
Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям
出版事項: (2013)
出版事項: (2013)
Имульсная люминесценция гетероструктур на основе GaN
著者:: Васенев А. С.
出版事項: (2012)
著者:: Васенев А. С.
出版事項: (2012)
Разработка макета дискретного быстродействующего драйвера управления силовыми GaN транзисторами
著者:: Ерофеев Е. В.
出版事項: (2017)
著者:: Ерофеев Е. В.
出版事項: (2017)
Проблемы высокотемпературного синтеза композита, содержащего нитрид галлия
著者:: Черепанова Д. Н.
出版事項: (2017)
著者:: Черепанова Д. Н.
出版事項: (2017)
Деградация светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN при возбуждении сильноточным электронным пучком
著者:: Олешко В. И. Владимир Иванович
出版事項: (2013)
著者:: Олешко В. И. Владимир Иванович
出版事項: (2013)
Влияние плотности дислокаций на суперлюминесценцию эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфировых подложках
著者:: Олешко В. И. Владимир Иванович
出版事項: (2024)
著者:: Олешко В. И. Владимир Иванович
出版事項: (2024)
Захват и рекомбинация носителей в полупроводниковых квантовых точках CDSe/ZnSe
出版事項: (2004)
出版事項: (2004)
Туннельная излучательная рекомбинация в p-n- гетероструктурах на основе нитрида галлия и других соединнений типа [AIIIBV]
著者:: Кудряшов В. Е.
出版事項: (2003)
著者:: Кудряшов В. Е.
出版事項: (2003)
Нелинейные токи в полупроводниках с непараболическим законом дисперсии
著者:: Мусаев П. Х. Пулат Халикович
出版事項: (Ташкент, Фан, 1988)
著者:: Мусаев П. Х. Пулат Халикович
出版事項: (Ташкент, Фан, 1988)
Исследование и применение широкозонных полупроводников сборник научных трудов
出版事項: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1982)
出版事項: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1982)
Power switching transistors based on gallium nitride epitaxial heterostructures
著者:: Erofeev E. V. Evgeny Viktorovich
出版事項: (2017)
著者:: Erofeev E. V. Evgeny Viktorovich
出版事項: (2017)
Проблемы высокотемпературного синтеза композита, содержащего нитрид галлия
著者:: Черепанова Д. Н.
出版事項: (2018)
著者:: Черепанова Д. Н.
出版事項: (2018)
Люминесценция тонкопленочных светодиодных структур при возбуждении сильноточным электронным пучком
出版事項: (2013)
出版事項: (2013)
Перспективные материалы радиоэлектроники сборник научных трудов
出版事項: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1984)
出版事項: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1984)
Волны в тонкопленочных полупроводниковых структурах с горячими электронами
著者:: Барыбин А. А. Анатолий Андреевич
出版事項: (Москва, Наука, 1986)
著者:: Барыбин А. А. Анатолий Андреевич
出版事項: (Москва, Наука, 1986)
Фазовые переходы в полупроводниках с деформационным электрон - фононным взаимодействием
著者:: Кочелап В. А. Вячеслав Александрович
出版事項: (Киев, Наукова думка, 1984)
著者:: Кочелап В. А. Вячеслав Александрович
出版事項: (Киев, Наукова думка, 1984)
Электропроводность узкощелевых полупроводников монография
著者:: Кроткус А. Й. Арунас Йоно
出版事項: (Вильнюс, Мокслас, 1988)
著者:: Кроткус А. Й. Арунас Йоно
出版事項: (Вильнюс, Мокслас, 1988)
Плазменные неустойчивости и нелинейные явления в полупроводниках
出版事項: (Киев, Наукова думка, 1984)
出版事項: (Киев, Наукова думка, 1984)
Электропроводность, термоэлектрические явления и теплопроводность полупроводников учебное пособие
著者:: Кайданов В. И. Виктор Израилевич
出版事項: (Ленинград, Изд-во ЛПИ, 1981)
著者:: Кайданов В. И. Виктор Израилевич
出版事項: (Ленинград, Изд-во ЛПИ, 1981)
Проблемы высокотемпературного синтеза композита, содержащего нитрид галлия
著者:: Черепанова Д. Н.
出版事項: (2017)
著者:: Черепанова Д. Н.
出版事項: (2017)
Исследование процесса металлизации алюмонитридной керамики
著者:: Тарновский Р. В.
出版事項: (2018)
著者:: Тарновский Р. В.
出版事項: (2018)
Полупроводниковая электроника сборник научных трудов
出版事項: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1979)
出版事項: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1979)
Разработка методологии контроля чистоты сапфировых подложек для изготовления гетеротранзисторов и оптоэлектронных приборов на основе нитрида галлия
著者:: Гурская А. А.
出版事項: (2004)
著者:: Гурская А. А.
出版事項: (2004)
Кинетика электронных процессов в примесных полупроводниках и полупроводниковых приборах
出版事項: (Кишинев, Штиинца, 1987)
出版事項: (Кишинев, Штиинца, 1987)
Барьеры от кристалла до интегральной схемы
著者:: Левинштейн М. Е. Михаил Ефимович
出版事項: (Москва, Наука, 1987)
著者:: Левинштейн М. Е. Михаил Ефимович
出版事項: (Москва, Наука, 1987)
Электроградиентные явления в полупроводниках
著者:: Ашмонтас С. П. Стяпонас Повилович
出版事項: (Вильнюс, Мокслас, 1984)
著者:: Ашмонтас С. П. Стяпонас Повилович
出版事項: (Вильнюс, Мокслас, 1984)
Электронная теория неупорядоченных полупроводников учебное пособие для вузов
出版事項: (Москва, Наука, 1981)
出版事項: (Москва, Наука, 1981)
Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда
著者:: Овсюк В. Н. Виктор Николаевич
出版事項: (Новосибирск, Наука, 1984)
著者:: Овсюк В. Н. Виктор Николаевич
出版事項: (Новосибирск, Наука, 1984)
Влияние термо-и микроволновой обработок на свойства омических контактов K n-n+-n++ -Inp(GaAs, GaN)
出版事項: (2011)
出版事項: (2011)
Физико-химические свойства и электронная структура поверхности трехмерных топологических изоляторов на основе халькогенидов и халькогалогенидов висмута и сурьмы автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 1.3.11
著者:: Голяшов В. А. Владимир Андреевич
出版事項: (Новосибирск, [Б. и.], 2022)
著者:: Голяшов В. А. Владимир Андреевич
出版事項: (Новосибирск, [Б. и.], 2022)
Токи двойной инжекции в полупроводниках [монография]
著者:: Адирович Э. И. Эммануил Ильич
出版事項: (Москва, Советское радио, 1978)
著者:: Адирович Э. И. Эммануил Ильич
出版事項: (Москва, Советское радио, 1978)
Экситонная и доменная люминесценция полупроводников [сборник научных трудов]
出版事項: (Москва, Наука, 1977)
出版事項: (Москва, Наука, 1977)
Электронные состояния в квантово-размерных и дефектных полупроводниковых структурах автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук спец. 27.10.2011 г.
著者:: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
出版事項: (Томск, 2011)
著者:: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
出版事項: (Томск, 2011)
Исследование и применение широкозонных полупроводников сборник научных трудов
出版事項: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1981)
出版事項: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1981)
Исследование полупроводников с широкой и узкой запрещенной зоной
出版事項: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1983)
出版事項: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1983)
Исследование режущих свойств объемного поликристаллического нитрида титана
著者:: Ким А. Б. Алексей Богович
出版事項: (2014)
著者:: Ким А. Б. Алексей Богович
出版事項: (2014)
Paramagnetiische Elektronenresonanz in Halbleitern
著者:: Lancaster G.
出版事項: (Leipzig, Akademische Verlagsgesellschaft Geest @ Portig K.-G., 1973)
著者:: Lancaster G.
出版事項: (Leipzig, Akademische Verlagsgesellschaft Geest @ Portig K.-G., 1973)
Ceramics based on titanium nitride and silicon nitride sintered by SPS-method
著者:: Sivkov A. A. Aleksandr Anatolyevich
出版事項: (2015)
著者:: Sivkov A. A. Aleksandr Anatolyevich
出版事項: (2015)
Особенности оптических свойств сильно легированного GaAs:Te в условиях коррелированного распределения примеси автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
著者:: Сидоров Е. Н. Евгений Николаевич
出版事項: (Томск, 2010)
著者:: Сидоров Е. Н. Евгений Николаевич
出版事項: (Томск, 2010)
類似資料
-
Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN
著者:: Олешко В. И. Владимир Иванович
出版事項: (2013) -
Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям
出版事項: (2013) -
Имульсная люминесценция гетероструктур на основе GaN
著者:: Васенев А. С.
出版事項: (2012) -
Разработка макета дискретного быстродействующего драйвера управления силовыми GaN транзисторами
著者:: Ерофеев Е. В.
出版事項: (2017) -
Проблемы высокотемпературного синтеза композита, содержащего нитрид галлия
著者:: Черепанова Д. Н.
出版事項: (2017)