Процессы рекомбинации в квантовых точках GaN в матрице AIN: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.10

Процессы рекомбинации в квантовых точках GaN в матрице AIN: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.10

Podrobná bibliografie
Hlavní autor:	Александров И. А. Иван Анатольевич
Korporativní autor:	Российская академия наук (РАН) Сибирское отделение (СО) Институт физики полупроводников (ИФП)
Další autoři:	Журавлев К. С. Константин Сергеевич (научный руководитель)
Shrnutí:	Защита сост. 23.06.2015 г.
Jazyk:	ruština
Vydáno:	Новосибирск, 2015
Témata:	Полупроводники > Электронная теория физика квантовые точки рекомбинация излучение полупроводниковые структуры экситоны фотолюминесценция поглощение светодиоды нитрид галлия нитрид алюминия авторефераты диссертаций спектры
Médium:	Kniha
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=302050

Podobné jednotky

Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
Autor: Олешко В. И. Владимир Иванович
Vydáno: (2013)

Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
Vydáno: (2013)

Имульсная люминесценция гетероструктур на основе GaN; Современные техника и технологии; Т. 3
Autor: Васенев А. С.
Vydáno: (2012)

Разработка макета дискретного быстродействующего драйвера управления силовыми GaN транзисторами; Интеллектуальные энергосистемы; Т. 3
Autor: Ерофеев Е. В.
Vydáno: (2017)

Проблемы высокотемпературного синтеза композита, содержащего нитрид галлия; Химия и химическая технология в XXI веке
Autor: Черепанова Д. Н.
Vydáno: (2017)

Деградация светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN при возбуждении сильноточным электронным пучком; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
Autor: Олешко В. И. Владимир Иванович
Vydáno: (2013)

Влияние плотности дислокаций на суперлюминесценцию эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфировых подложках; Прикладная физика; № 3
Autor: Олешко В. И. Владимир Иванович
Vydáno: (2024)

Захват и рекомбинация носителей в полупроводниковых квантовых точках CDSe/ZnSe; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 125, вып. 1
Vydáno: (2004)

Туннельная излучательная рекомбинация в p-n- гетероструктурах на основе нитрида галлия и других соединнений типа [AIIIBV]; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 124, вып. 5
Autor: Кудряшов В. Е.
Vydáno: (2003)

Исследование и применение широкозонных полупроводников: сборник научных трудов
Vydáno: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1982)

Нелинейные токи в полупроводниках с непараболическим законом дисперсии
Autor: Мусаев П. Х. Пулат Халикович
Vydáno: (Ташкент, Фан, 1988)

Power switching transistors based on gallium nitride epitaxial heterostructures; Russian Microelectronics; Vol. 46, iss. 3
Autor: Erofeev E. V. Evgeny Viktorovich
Vydáno: (2017)

Проблемы высокотемпературного синтеза композита, содержащего нитрид галлия; Перспективные материалы конструкционного и медицинского назначения
Autor: Черепанова Д. Н.
Vydáno: (2018)

Люминесценция тонкопленочных светодиодных структур при возбуждении сильноточным электронным пучком; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 1
Vydáno: (2013)

Перспективные материалы радиоэлектроники: сборник научных трудов
Vydáno: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1984)

Волны в тонкопленочных полупроводниковых структурах с горячими электронами
Autor: Барыбин А. А. Анатолий Андреевич
Vydáno: (Москва, Наука, 1986)

Фазовые переходы в полупроводниках с деформационным электрон - фононным взаимодействием
Autor: Кочелап В. А. Вячеслав Александрович
Vydáno: (Киев, Наукова думка, 1984)

Электропроводность узкощелевых полупроводников: монография
Autor: Кроткус А. Й. Арунас Йоно
Vydáno: (Вильнюс, Мокслас, 1988)

Плазменные неустойчивости и нелинейные явления в полупроводниках
Vydáno: (Киев, Наукова думка, 1984)

Проблемы высокотемпературного синтеза композита, содержащего нитрид галлия; Современные технологии и материалы новых поколений
Autor: Черепанова Д. Н.
Vydáno: (2017)

Электропроводность, термоэлектрические явления и теплопроводность полупроводников: учебное пособие
Autor: Кайданов В. И. Виктор Израилевич
Vydáno: (Ленинград, Изд-во ЛПИ, 1981)

Исследование процесса металлизации алюмонитридной керамики; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2018)
Autor: Тарновский Р. В.
Vydáno: (2018)

Полупроводниковая электроника: сборник научных трудов
Vydáno: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1979)

Электронные процессы на поверхности полупроводников
Autor: Ржанов А. В. Анатолий Васильевич
Vydáno: (Москва, Наука, 1971)

Разработка методологии контроля чистоты сапфировых подложек для изготовления гетеротранзисторов и оптоэлектронных приборов на основе нитрида галлия; Химия и химическая технология на рубеже тысячелетий
Autor: Гурская А. А.
Vydáno: (2004)

Кинетика электронных процессов в примесных полупроводниках и полупроводниковых приборах
Vydáno: (Кишинев, Штиинца, 1987)

Барьеры от кристалла до интегральной схемы
Autor: Левинштейн М. Е. Михаил Ефимович
Vydáno: (Москва, Наука, 1987)

Электроградиентные явления в полупроводниках
Autor: Ашмонтас С. П. Стяпонас Повилович
Vydáno: (Вильнюс, Мокслас, 1984)

Электронная теория неупорядоченных полупроводников: учебное пособие для вузов
Vydáno: (Москва, Наука, 1981)

Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда
Autor: Овсюк В. Н. Виктор Николаевич
Vydáno: (Новосибирск, Наука, 1984)

Физико-химические свойства и электронная структура поверхности трехмерных топологических изоляторов на основе халькогенидов и халькогалогенидов висмута и сурьмы: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
Autor: Голяшов В. А. Владимир Андреевич
Vydáno: (Новосибирск, [Б. и.], 2022)

Экситонная и доменная люминесценция полупроводников: [сборник научных трудов]
Vydáno: (Москва, Наука, 1977)

Токи двойной инжекции в полупроводниках: [монография]
Autor: Адирович Э. И. Эммануил Ильич
Vydáno: (Москва, Советское радио, 1978)

Особенности оптических свойств сильно легированного GaAs:Te в условиях коррелированного распределения примеси: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
Autor: Сидоров Е. Н. Евгений Николаевич
Vydáno: (Томск, 2010)

Влияние термо-и микроволновой обработок на свойства омических контактов K n-n+-n++ -Inp(GaAs, GaN); Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Vydáno: (2011)

Электронные состояния в квантово-размерных и дефектных полупроводниковых структурах: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук; спец. 27.10.2011 г.
Autor: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Vydáno: (Томск, 2011)

Исследование и применение широкозонных полупроводников: сборник научных трудов
Vydáno: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1981)

Исследование полупроводников с широкой и узкой запрещенной зоной
Vydáno: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1983)

Исследование режущих свойств объемного поликристаллического нитрида титана; Инновационные технологии и экономика в машиностроении; Т. 1
Autor: Ким А. Б. Алексей Богович
Vydáno: (2014)

Paramagnetiische Elektronenresonanz in Halbleitern
Autor: Lancaster G.
Vydáno: (Leipzig, Akademische Verlagsgesellschaft Geest @ Portig K.-G., 1973)