Процессы рекомбинации в квантовых точках GaN в матрице AIN: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.10

Процессы рекомбинации в квантовых точках GaN в матрице AIN: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.10

Bibliografiset tiedot
Päätekijä:	Александров И. А. Иван Анатольевич
Yhteisötekijä:	Российская академия наук (РАН) Сибирское отделение (СО) Институт физики полупроводников (ИФП)
Muut tekijät:	Журавлев К. С. Константин Сергеевич (научный руководитель)
Yhteenveto:	Защита сост. 23.06.2015 г.
Kieli:	venäjä
Julkaistu:	Новосибирск, 2015
Aiheet:	Полупроводники > Электронная теория физика квантовые точки рекомбинация излучение полупроводниковые структуры экситоны фотолюминесценция поглощение светодиоды нитрид галлия нитрид алюминия авторефераты диссертаций спектры
Aineistotyyppi:	Kirja
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=302050

Samankaltaisia teoksia

Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
Tekijä: Олешко В. И. Владимир Иванович
Julkaistu: (2013)

Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
Julkaistu: (2013)

Имульсная люминесценция гетероструктур на основе GaN; Современные техника и технологии; Т. 3
Tekijä: Васенев А. С.
Julkaistu: (2012)

Проблемы высокотемпературного синтеза композита, содержащего нитрид галлия; Химия и химическая технология в XXI веке
Tekijä: Черепанова Д. Н.
Julkaistu: (2017)

Разработка макета дискретного быстродействующего драйвера управления силовыми GaN транзисторами; Интеллектуальные энергосистемы; Т. 3
Tekijä: Ерофеев Е. В.
Julkaistu: (2017)

Деградация светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN при возбуждении сильноточным электронным пучком; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
Tekijä: Олешко В. И. Владимир Иванович
Julkaistu: (2013)

Влияние плотности дислокаций на суперлюминесценцию эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфировых подложках; Прикладная физика; № 3
Tekijä: Олешко В. И. Владимир Иванович
Julkaistu: (2024)

Захват и рекомбинация носителей в полупроводниковых квантовых точках CDSe/ZnSe; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 125, вып. 1
Julkaistu: (2004)

Исследование и применение широкозонных полупроводников: сборник научных трудов
Julkaistu: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1982)

Нелинейные токи в полупроводниках с непараболическим законом дисперсии
Tekijä: Мусаев П. Х. Пулат Халикович
Julkaistu: (Ташкент, Фан, 1988)

Туннельная излучательная рекомбинация в p-n- гетероструктурах на основе нитрида галлия и других соединнений типа [AIIIBV]; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 124, вып. 5
Tekijä: Кудряшов В. Е.
Julkaistu: (2003)

Power switching transistors based on gallium nitride epitaxial heterostructures; Russian Microelectronics; Vol. 46, iss. 3
Tekijä: Erofeev E. V. Evgeny Viktorovich
Julkaistu: (2017)

Проблемы высокотемпературного синтеза композита, содержащего нитрид галлия; Перспективные материалы конструкционного и медицинского назначения
Tekijä: Черепанова Д. Н.
Julkaistu: (2018)

Люминесценция тонкопленочных светодиодных структур при возбуждении сильноточным электронным пучком; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 1
Julkaistu: (2013)

Перспективные материалы радиоэлектроники: сборник научных трудов
Julkaistu: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1984)

Электропроводность узкощелевых полупроводников: монография
Tekijä: Кроткус А. Й. Арунас Йоно
Julkaistu: (Вильнюс, Мокслас, 1988)

Фазовые переходы в полупроводниках с деформационным электрон - фононным взаимодействием
Tekijä: Кочелап В. А. Вячеслав Александрович
Julkaistu: (Киев, Наукова думка, 1984)

Волны в тонкопленочных полупроводниковых структурах с горячими электронами
Tekijä: Барыбин А. А. Анатолий Андреевич
Julkaistu: (Москва, Наука, 1986)

Плазменные неустойчивости и нелинейные явления в полупроводниках
Julkaistu: (Киев, Наукова думка, 1984)

Электропроводность, термоэлектрические явления и теплопроводность полупроводников: учебное пособие
Tekijä: Кайданов В. И. Виктор Израилевич
Julkaistu: (Ленинград, Изд-во ЛПИ, 1981)

Проблемы высокотемпературного синтеза композита, содержащего нитрид галлия; Современные технологии и материалы новых поколений
Tekijä: Черепанова Д. Н.
Julkaistu: (2017)

Полупроводниковая электроника: сборник научных трудов
Julkaistu: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1979)

Электронные процессы на поверхности полупроводников
Tekijä: Ржанов А. В. Анатолий Васильевич
Julkaistu: (Москва, Наука, 1971)

Исследование процесса металлизации алюмонитридной керамики; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2018)
Tekijä: Тарновский Р. В.
Julkaistu: (2018)

Разработка методологии контроля чистоты сапфировых подложек для изготовления гетеротранзисторов и оптоэлектронных приборов на основе нитрида галлия; Химия и химическая технология на рубеже тысячелетий
Tekijä: Гурская А. А.
Julkaistu: (2004)

Электроградиентные явления в полупроводниках
Tekijä: Ашмонтас С. П. Стяпонас Повилович
Julkaistu: (Вильнюс, Мокслас, 1984)

Кинетика электронных процессов в примесных полупроводниках и полупроводниковых приборах
Julkaistu: (Кишинев, Штиинца, 1987)

Барьеры от кристалла до интегральной схемы
Tekijä: Левинштейн М. Е. Михаил Ефимович
Julkaistu: (Москва, Наука, 1987)

Электронная теория неупорядоченных полупроводников: учебное пособие для вузов
Julkaistu: (Москва, Наука, 1981)

Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда
Tekijä: Овсюк В. Н. Виктор Николаевич
Julkaistu: (Новосибирск, Наука, 1984)

Физико-химические свойства и электронная структура поверхности трехмерных топологических изоляторов на основе халькогенидов и халькогалогенидов висмута и сурьмы: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
Tekijä: Голяшов В. А. Владимир Андреевич
Julkaistu: (Новосибирск, [Б. и.], 2022)

Токи двойной инжекции в полупроводниках: [монография]
Tekijä: Адирович Э. И. Эммануил Ильич
Julkaistu: (Москва, Советское радио, 1978)

Экситонная и доменная люминесценция полупроводников: [сборник научных трудов]
Julkaistu: (Москва, Наука, 1977)

Особенности оптических свойств сильно легированного GaAs:Te в условиях коррелированного распределения примеси: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
Tekijä: Сидоров Е. Н. Евгений Николаевич
Julkaistu: (Томск, 2010)

Электронные состояния в квантово-размерных и дефектных полупроводниковых структурах: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук; спец. 27.10.2011 г.
Tekijä: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Julkaistu: (Томск, 2011)

Исследование и применение широкозонных полупроводников: сборник научных трудов
Julkaistu: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1981)

Влияние термо-и микроволновой обработок на свойства омических контактов K n-n+-n++ -Inp(GaAs, GaN); Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Julkaistu: (2011)

Исследование полупроводников с широкой и узкой запрещенной зоной
Julkaistu: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1983)

Paramagnetiische Elektronenresonanz in Halbleitern
Tekijä: Lancaster G.
Julkaistu: (Leipzig, Akademische Verlagsgesellschaft Geest @ Portig K.-G., 1973)

Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 1. От минерального сырья к монокристаллу учебник для вузов
Tekijä: Александрова О. А.
Julkaistu: (Санкт-Петербург, Лань, 2023)