• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Advanced
  • Процессы рекомбинации в кванто...
  • Cite this
  • Text this
  • Email this
  • Print
  • Export Record
    • Export to RefWorks
    • Export to EndNoteWeb
    • Export to EndNote
  • Permanent link
Процессы рекомбинации в квантовых точках GaN в матрице AIN автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Спец. 01.04.10

Процессы рекомбинации в квантовых точках GaN в матрице AIN, автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Bibliographic Details
Main Author: Александров И. А. Иван Анатольевич
Corporate Author: Российская академия наук (РАН) Сибирское отделение (СО) Институт физики полупроводников (ИФП)
Other Authors: Журавлев К. С. Константин Сергеевич (727)
Summary:Защита сост. 23.06.2015 г.
Published: Новосибирск, 2015
Subjects:
физика
квантовые точки
рекомбинация
излучение
полупроводниковые структуры
экситоны
фотолюминесценция
поглощение
светодиоды
нитрид галлия
нитрид алюминия
авторефераты диссертаций
спектры
Format: Book
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=302050
  • Holdings
  • Description
  • Similar Items
  • Staff View

Similar Items

  • Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN
    by: Олешко В. И. Владимир Иванович
    Published: (2013)
  • Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям
    Published: (2013)
  • Имульсная люминесценция гетероструктур на основе GaN
    by: Васенев А. С.
    Published: (2012)
  • Разработка макета дискретного быстродействующего драйвера управления силовыми GaN транзисторами
    by: Ерофеев Е. В.
    Published: (2017)
  • Проблемы высокотемпературного синтеза композита, содержащего нитрид галлия
    by: Черепанова Д. Н.
    Published: (2017)