Измерение профиля концентрации носителей заряда в эпитаксиальных слоях арсенида галлия на барьере электролит-полупроводник; Прогрессивные технологии и экономика в машиностроении; Т. 2

Измерение профиля концентрации носителей заряда в эпитаксиальных слоях арсенида галлия на барьере электролит-полупроводник; Прогрессивные технологии и экономика в машиностроении; Т. 2

Podrobná bibliografie
Parent link:	Прогрессивные технологии и экономика в машиностроении: труды IV Всероссийской научно-практической конференции с международным участием, Юрга, 11-13 мая 2006 г./ Юргинский технологический институт (филиал) ; Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2006 Т. 2.— 2006.— С. 77-78
Hlavní autor:	Пешев В. В. Владимир Викторович
Další autoři:	Градобоев А. В. Александр Васильевич, Соболева Э. Г. Эльвира Гомеровна
Jazyk:	ruština
Vydáno:	2006
Témata:	труды учёных ТПУ
Médium:	Kapitola
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=276202

Podobné jednotky

Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе
Autor: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
Vydáno: (Москва, Энергия, 1974)

Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида галлия методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений описание лабораторной работы
Autor: Байдусь Н. В.
Vydáno: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 1999)

Методы контроля качества монокристаллов арсенида галлия и фосфида индия эпитаксиальных слоев.; Исследование распределения напряжений в монокристаллах и эпитаксиальных слоях: Промежуточный отчет о НИР; Тема: х/д 2-51/86
Vydáno: (Томск, 1989)

Спектры DLTS арсенида галлия, облучённого нейтронами; Физика твердого тела
Autor: Пешев В. В.
Vydáno: (2002)

Нестационарные процессы переноса и рекомбинации носителей заряда в тонких слоях органических материалов учебное пособие для вузов
Autor: Никитенко В. Р.
Vydáno: (Москва, НИЯУ МИФИ, 2011)

Спектры DLTS арсенида галлия, содержащего встроенные электрические поля; Фундаментальные исследования; № 4
Autor: Пешев В. В. Владимир Викторович
Vydáno: (2007)

Электрофизические свойства арсенида галлия: учебное пособие
Autor: Сытенко Т. Н.
Vydáno: (Киев, Изд-во КПИ, 1978)

Радиационная стойкость СВЧ приборов на основе арсенида галлия
Autor: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Vydáno: (Томск, Изд-во ТПУ, 2005)

Определение по кинетике тока повехностной генерации неосновных носителей заряда генерационно-рекомбинационных характеристик гетерограницы полупроводник/диэлектрик; Приборы и техника эксперимента; № 3
Autor: Ждан А. Г.
Vydáno: (2003)

Фоточувствительные структуры и солнечные элементы на основе арсенида галлия
Vydáno: (Ташкент, Фан, 1986)

Современные приборы на основе арсенида галлия: пер. с англ.
Autor: Шур М. С. Михаил Саулович
Vydáno: (Москва, Мир, 1991)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией; ФВЗЧК-2014
Vydáno: (2014)

Явления переноса носителей заряда и тепла в полупроводниках
Vydáno: (Махачкала, Изд-во института физики ДФАН СССР, 1986)

Радиационный контроль полуизолирующего арсенида галлия; Вестник науки Сибири; № 3 (4)
Autor: Клименов В. А. Василий Александрович
Vydáno: (2012)

Измерение удельного заряда электрона
Autor: Инфимовский Ю. Ю.
Vydáno: (Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2016)

Полярографическое определение серы в порошках арсенида и фосфида галлия: отдельный оттиск
Autor: Каплан Б. Я.
Vydáno: (Москва, [Б. и.], 1969)

Электродинамика границы металл / электролит
Autor: Бродский А. М. Анатоль Моисеевич
Vydáno: (Москва, Наука, 1989)

Изучение радиопоглощающих свойств арсенида галлия; Физическое образование в вузах; Т. 24, № S1
Autor: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Vydáno: (2018)

Легирование эпитаксиальных слоев полупроводников
Autor: Харченко В. В. Валерий Владимирович
Vydáno: (Ташкент, Фан, 1979)

Теория формирования эпитаксиальных наноструктур
Autor: Дубровский В. Г. Владимир Германович
Vydáno: (Москва, Физматлит, 2009)

Напряжения в имплантированных структурах арсенида галлия; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Autor: Ардышев М. В.
Vydáno: (2002)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией; Известия вузов. Физика; Т. 57, № 9/3
Vydáno: (2014)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных на поликоре ионной абляцией; Взаимодействие излучений с твердым телом
Autor: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Vydáno: (2013)

Осаждение пленок арсенида галлия ионной абляцией и их термическая и химическая пассивация; ФВЗЧК-2011
Vydáno: (2011)

Осаждение пленок арсенида галлия методом импульсной ионной абляции и их свойства; Физика твердого тела
Vydáno: (2009)

Радиопоглощающие свойства пеностекла с добавлением арсенида галлия; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 2 : Химия
Autor: Стебенева В. И.
Vydáno: (2018)

Коммутация тока на границе металл-электролит
Vydáno: (Кишинев, Изд-во АН Молд. ССР, 1971)

Ч. 1; Взаимодействие электромагнитных колебаний сверхвысоких частот с плазмой носителей заряда в полупроводнике
Vydáno: (1979)

Ч. 2; Взаимодействие электромагнитных колебаний сверхвысоких частот с плазмой носителей заряда в полупроводнике
Vydáno: (1979)

Протонный отжиг имплантированных арсенида галлия и кремния; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Autor: Ардышев М. В.
Vydáno: (2004)

Электронный отжиг арсенида галлия, имплантированного ионами кремния; 7 Всесоюзный симпозиум по сильноточной электронике; Ч. 3
Vydáno: (1988)

U-полоса в емкостных спектрах арсенида галлия, облученного нейтронами и протонами; Международная конференция "Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах", 22-25 сентября 1998 г., г. Томск
Autor: Пешев В. В. Владимир Викторович
Vydáno: (1998)

Взаимодействие электромагнитных колебаний сверхвысоких частот с плазмой носителей заряда в полупроводнике: в 2 ч.
Autor: Кац Л. И. Лев Израилевич
Vydáno: (Саратов, Изд-во СГУ, 1979)

Релаксация наведённого тока в приборах на основе арсенида галлия после воздействия гамма-импульса; Физика твердого тела
Autor: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Vydáno: (2002)

Исследование стойкости арсенида галлия при облучении гамма-квантами; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Autor: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Vydáno: (2002)

Ионный абляционный синтез пленок арсенида галлия на кремниевой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 6-2
Autor: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Vydáno: (2012)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных на поликоре ионной абляцией; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
Vydáno: (2013)

Квантово-чувствительные детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 8
Autor: Толбанов О. П.
Vydáno: (2003)

Механизм переноса зарядов в излучающих структурах на основе арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 3
Autor: Карлова Г. Ф.
Vydáno: (2003)

Измерение удельного сопротивления эпитаксиальных слоев с использованием контактного барьера ртуть - арсенид галлия; Труды ХVI Международного совещания "Радиационная физика твердого тела", (Севастополь, 3-8 июля 2006 г.)
Autor: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Vydáno: (2006)