Измерение профиля концентрации носителей заряда в эпитаксиальных слоях арсенида галлия на барьере электролит-полупроводник

Измерение профиля концентрации носителей заряда в эпитаксиальных слоях арсенида галлия на барьере электролит-полупроводник

Bibliografski detalji
Parent link:	Прогрессивные технологии и экономика в машиностроении: труды IV Всероссийской научно-практической конференции с международным участием, Юрга, 11-13 мая 2006 г./ Юргинский технологический институт (филиал) ; Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2006 Т. 2.— 2006.— С. 77-78
Glavni autor:	Пешев В. В. Владимир Викторович
Daljnji autori:	Градобоев А. В. Александр Васильевич, Соболева Э. Г. Эльвира Гомеровна
Jezik:	ruski
Izdano:	2006
Teme:	труды учёных ТПУ
Format:	Poglavlje knjige
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=276202

Slični predmeti

Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе
od: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
Izdano: (Москва, Энергия, 1974)

Спектры DLTS арсенида галлия, облучённого нейтронами
od: Пешев В. В.
Izdano: (2002)

Методы контроля качества монокристаллов арсенида галлия и фосфида индия эпитаксиальных слоев. Исследование распределения напряжений в монокристаллах и эпитаксиальных слоях Промежуточный отчет о НИР Тема: х/д 2-51/86
Izdano: (Томск, 1989)

Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида галлия методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений описание лабораторной работы
od: Байдусь Н. В.
Izdano: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 1999)

Спектры DLTS арсенида галлия, содержащего встроенные электрические поля
od: Пешев В. В. Владимир Викторович
Izdano: (2007)

Электрофизические свойства арсенида галлия учебное пособие
od: Сытенко Т. Н.
Izdano: (Киев, Изд-во КПИ, 1978)

Радиационный контроль полуизолирующего арсенида галлия
od: Клименов В. А. Василий Александрович
Izdano: (2012)

Изучение радиопоглощающих свойств арсенида галлия
od: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Izdano: (2018)

Напряжения в имплантированных структурах арсенида галлия
od: Ардышев М. В.
Izdano: (2002)

Измерение удельного сопротивления эпитаксиальных слоев с использованием контактного барьера ртуть - арсенид галлия
od: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Izdano: (2006)

Определение по кинетике тока повехностной генерации неосновных носителей заряда генерационно-рекомбинационных характеристик гетерограницы полупроводник/диэлектрик
od: Ждан А. Г.
Izdano: (2003)

Нестационарные процессы переноса и рекомбинации носителей заряда в тонких слоях органических материалов учебное пособие для вузов
od: Никитенко В. Р.
Izdano: (Москва, НИЯУ МИФИ, 2011)

Протонный отжиг имплантированных арсенида галлия и кремния
od: Ардышев М. В.
Izdano: (2004)

Электронный отжиг арсенида галлия, имплантированного ионами кремния
Izdano: (1988)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией
Izdano: (2014)

Радиопоглощающие свойства пеностекла с добавлением арсенида галлия
od: Стебенева В. И.
Izdano: (2018)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией
Izdano: (2014)

Современные приборы на основе арсенида галлия пер. с англ.
od: Шур М. С. Михаил Саулович
Izdano: (Москва, Мир, 1991)

Холловская подвижность носителей заряда в азиде серебра
od: Захаров Ю. А. Юрий Александрович
Izdano: (1979)

Радиационная стойкость СВЧ приборов на основе арсенида галлия
od: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Izdano: (Томск, Изд-во ТПУ, 2005)

Исследование стойкости арсенида галлия при облучении гамма-квантами
od: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Izdano: (2002)

Определение концентрации и подвижности основных носителей заряда в полупроводниках методические указания к выполнению лабораторной работы Э-12 по курсу "Общая физика" для студентов всех специальностей
Izdano: (Томск, Изд-во ТПУ, 2007)

Измерение удельного заряда электрона
od: Инфимовский Ю. Ю.
Izdano: (Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2016)

Явления переноса носителей заряда и тепла в полупроводниках
Izdano: (Махачкала, Изд-во института физики ДФАН СССР, 1986)

Фоточувствительные структуры и солнечные элементы на основе арсенида галлия
Izdano: (Ташкент, Фан, 1986)

Ионный абляционный синтез пленок арсенида галлия на кремниевой подложке
od: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Izdano: (2012)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных на поликоре ионной абляцией
Izdano: (2013)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных на поликоре ионной абляцией
od: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Izdano: (2013)

Электродинамика границы металл / электролит
od: Бродский А. М. Анатоль Моисеевич
Izdano: (Москва, Наука, 1989)

Полярографическое определение серы в порошках арсенида и фосфида галлия отдельный оттиск
od: Каплан Б. Я.
Izdano: (Москва, [Б. и.], 1969)

Квантово-чувствительные детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия
od: Толбанов О. П.
Izdano: (2003)

Механизм переноса зарядов в излучающих структурах на основе арсенида галлия
od: Карлова Г. Ф.
Izdano: (2003)

Особенности электрофизических свойств пленок арсенида галлия, осажденных в неравновесных условиях
Izdano: (2010)

Аннигиляция позитронов в монокристаллах кремния и арсенида галлия с обработанной поверхностью
od: Арефьев К. П. Константин Петрович
Izdano: (1976)

Осаждение пленок арсенида галлия методом импульсной ионной абляции и их свойства
Izdano: (2009)

Разработка и исследование детекторов на основе арсенида галлия для цифровой маммографии
od: Прокопьев Д. Г.
Izdano: (2011)

Особенности вольт-амперных характеристик пленок арсенида галлия, полученных импульсной ионной абляцией
Izdano: (2009)

Термическая и химическая пассивация пленок арсенида галлия, осажденных из абляционной плазмы
od: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Izdano: (2014)

Бесконтактный метод измерения времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках
od: Радчук Н. Б.
Izdano: (2003)

Измерение заряда однократных импульсов тока фотодиодов
od: Мартынюк А. С.
Izdano: (1986)