Измерение профиля концентрации носителей заряда в эпитаксиальных слоях арсенида галлия на барьере электролит-полупроводник

Detalhes bibliográficos
Parent link:Прогрессивные технологии и экономика в машиностроении: труды IV Всероссийской научно-практической конференции с международным участием, Юрга, 11-13 мая 2006 г./ Юргинский технологический институт (филиал) ; Томский политехнический университет (ТПУ).— , 2006
Т. 2.— 2006.— С. 77-78
Autor principal: Пешев В. В. Владимир Викторович
Outros Autores: Градобоев А. В. Александр Васильевич, Соболева Э. Г. Эльвира Гомеровна
Publicado em: 2006
Assuntos:
Formato: Capítulo de Livro
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=276202