|
|
|
|
| LEADER |
00000nam0a2200000 4500 |
| 001 |
273355 |
| 005 |
20231101234624.0 |
| 020 |
|
|
|a RU
|b 87-44140
|
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\book\296564
|
| 090 |
|
|
|a 273355
|
| 100 |
|
|
|a 20141024d1987 k y0rusy5003 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a LT
|
| 105 |
|
|
|a a z 101zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Самоформирование: теория и применение
|e тезисы III республиканского семинара, Вильнюс, 26-27 мая 1987 г.
|f Академия наук Литовский ССР (АН ЛитССР), Институт физики полупроводников
|
| 210 |
|
|
|a Вильнюс
|c Изд-во ИФП
|d 1987
|
| 215 |
|
|
|a 60 с.
|c ил.
|d 20 см
|
| 320 |
|
|
|a Библиография в конце статей
|
| 606 |
1 |
|
|a Микроэлектроника полупроводниковая
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\subj\43820
|9 63262
|
| 610 |
1 |
|
|a искусственные системы
|
| 610 |
1 |
|
|a развитие
|
| 610 |
1 |
|
|a параметры
|
| 610 |
1 |
|
|a взаимодействие
|
| 610 |
1 |
|
|a самосовмещенные планарные технологии
|
| 610 |
1 |
|
|a самоформирование
|
| 610 |
1 |
|
|a поликристаллический кремний
|
| 610 |
1 |
|
|a субмикронные структуры
|
| 610 |
1 |
|
|a кремниевые интегральные схемы
|
| 610 |
1 |
|
|a пористый кремний
|
| 610 |
1 |
|
|a рентгеновская литография
|
| 610 |
1 |
|
|a нитрид кремния
|
| 610 |
1 |
|
|a тонкие пленки
|
| 610 |
1 |
|
|a анодирование
|
| 675 |
|
|
|a 621.382.049.77
|z rus
|v 3
|
| 712 |
0 |
2 |
|a Академия наук Литовский ССР (АН ЛитССР)
|b Институт физики полупроводников
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\col\12038
|
| 712 |
1 |
2 |
|a Самоформирование. Теория и применение
|c семинар
|d 3
|e Вильнюс
|f 1987
|
| 801 |
|
0 |
|a RU
|b RuMRKP
|c 19950417
|g psbo
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20141024
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20170112
|g RCR
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
