• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
بحث متقدم
  • Полупроводниковые материалы и...
  • استشهد بهذا
  • أرسل هذا في رسالة قصيرة
  • أرسل هذا بالبريد الإلكتروني
  • طباعة
  • تصدير التسجيلة
    • تصدير إلى RefWorks
    • تصدير إلى EndNoteWeb
    • تصدير إلى EndNote
  • رابط دائم
اكتمل التصدير — 
Полупроводниковые материалы и приборы

Полупроводниковые материалы и приборы

التفاصيل البيبلوغرافية
مؤلف مشترك: Академия наук Молдавской ССР (АН МССР) Институт прикладной физики
مؤلفون آخرون: Радауцан С. И. (редактор)
اللغة:الروسية
منشور في: Кишинев, Штиинца, 1987
الموضوعات:
Полупроводниковые материалы > Параметры > Измерение
Полупроводниковые приборы
микроэлектроника
приборные структуры
фосфид индия
цинк
селенид сурьмы
температурные зависимости
окись цинка
теллурид цинка
кристаллы
криостаты
многоканальные установки
гибридные устройства
освещение
халькогенидные стеклообразные полупроводники
оптические изображения
фоточувствительность
التنسيق: كتاب
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=269676
  • المقتنيات
  • الوصف
  • مواد مشابهة
  • عرض للأخصائي

مواد مشابهة

  • Материалы, используемые в полупроводниковых приборах: пер. с англ.
    منشور في: (Москва, Мир, 1968)
  • Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
    حسب: Новиков В. А. Владимир Александрович
    منشور في: (Томск, [Б. и.], 2007)
  • Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
    حسب: Новиков В. А. Владимир Александрович
    منشور في: (Томск, [Б. и.], 2007)
  • Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
    حسب: Новиков В. А. Владимир Александрович
    منشور في: (Томск, [Б. и.], 2007)
  • Физика полупроводниковых и магнитных материалов: сборник научных трудов
    منشور في: (Орджоникидзе, [Б. и.], 1977)