• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Udvidet
  • Полупроводниковые материалы и...
  • Citér dette
  • Stav dette
  • Email dette
  • Udskriv
  • Eksportér post
    • Eksportér til RefWorks
    • Eksportér til EndNoteWeb
    • Eksportér til EndNote
  • Permanent link
Полупроводниковые материалы и приборы

Полупроводниковые материалы и приборы

Bibliografiske detaljer
Institution som forfatter: Академия наук Молдавской ССР (АН МССР) Институт прикладной физики
Andre forfattere: Радауцан С. И. (редактор)
Sprog:russisk
Udgivet: Кишинев, Штиинца, 1987
Fag:
Полупроводниковые материалы > Параметры > Измерение
Полупроводниковые приборы
микроэлектроника
приборные структуры
фосфид индия
цинк
селенид сурьмы
температурные зависимости
окись цинка
теллурид цинка
кристаллы
криостаты
многоканальные установки
гибридные устройства
освещение
халькогенидные стеклообразные полупроводники
оптические изображения
фоточувствительность
Format: Bog
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=269676
  • Beholdninger
  • Beskrivelse
  • Lignende værker
  • Medarbejdervisning

Lignende værker

  • Физика полупроводниковых материалов и приборов: тематический сборник
    Udgivet: (Москва, Изд-во МЭИ, 1981)
  • Материалы, используемые в полупроводниковых приборах: пер. с англ.
    Udgivet: (Москва, Мир, 1968)
  • Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
    af: Новиков В. А. Владимир Александрович
    Udgivet: (Томск, [Б. и.], 2007)
  • Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
    af: Новиков В. А. Владимир Александрович
    Udgivet: (Томск, [Б. и.], 2007)
  • Физика полупроводниковых и магнитных материалов: сборник научных трудов
    Udgivet: (Орджоникидзе, [Б. и.], 1977)