• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Advanced
  • Полупроводниковые материалы и...
  • Cite this
  • Text this
  • Email this
  • Print
  • Export Record
    • Export to RefWorks
    • Export to EndNoteWeb
    • Export to EndNote
  • Permanent link
Полупроводниковые материалы и приборы

Полупроводниковые материалы и приборы

Bibliographic Details
Corporate Author: Академия наук Молдавской ССР (АН МССР) Институт прикладной физики
Other Authors: Радауцан С. И. (340)
Language:Russian
Published: Кишинев, Штиинца, 1987
Subjects:
Полупроводниковые материалы > Параметры > Измерение
Полупроводниковые приборы
микроэлектроника
приборные структуры
фосфид индия
цинк
селенид сурьмы
температурные зависимости
окись цинка
теллурид цинка
кристаллы
криостаты
многоканальные установки
гибридные устройства
освещение
халькогенидные стеклообразные полупроводники
оптические изображения
фоточувствительность
Format: Book
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=269676
  • Holdings
  • Description
  • Similar Items
  • Staff View

Similar Items

  • Физика полупроводниковых материалов и приборов тематический сборник
    Published: (Москва, Изд-во МЭИ, 1981)
  • Полупроводниковые материалы учебное пособие для вузов
    by: Коновалов О. М. Олег Михайлович
    Published: (Харьков, Изд-во Харьковского ун-та, 1963)
  • Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
    by: Новиков В. А. Владимир Александрович
    Published: (Томск, [Б. и.], 2007)
  • Материалы, используемые в полупроводниковых приборах пер. с англ.
    Published: (Москва, Мир, 1968)
  • Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
    by: Новиков В. А. Владимир Александрович
    Published: (Томск, [Б. и.], 2007)