MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 269676
005 20231101234257.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\292853 
090 |a 269676 
100 |a 20140922d1987 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a MD 
105 |a a z 001zy 
200 1 |a Полупроводниковые материалы и приборы  |f Академия наук Молдавской ССР (АН МССР), Институт прикладной физики ; под ред. С. И. Радауцана 
210 |a Кишинев  |c Штиинца  |d 1987 
215 |a 152 с.  |c ил. 
320 |a Библиогр. в конце ст. 
606 1 |a Полупроводниковые материалы  |x Параметры  |x Измерение  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50665  |9 69316 
606 1 |a Полупроводниковые приборы  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50669  |9 69320 
610 1 |a микроэлектроника 
610 1 |a приборные структуры 
610 1 |a фосфид индия 
610 1 |a цинк 
610 1 |a селенид сурьмы 
610 1 |a температурные зависимости 
610 1 |a окись цинка 
610 1 |a теллурид цинка 
610 1 |a кристаллы 
610 1 |a криостаты 
610 1 |a многоканальные установки 
610 1 |a гибридные устройства 
610 1 |a освещение 
610 1 |a халькогенидные стеклообразные полупроводники 
610 1 |a оптические изображения 
610 1 |a фоточувствительность 
675 |a 621.315.592  |v 3 
675 |a 621.382  |v 3 
702 1 |a Радауцан  |b С. И.  |4 340 
712 0 2 |a Академия наук Молдавской ССР (АН МССР)  |b Институт прикладной физики  |c (Кишинев)  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\11347 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20140922 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20160311  |g RCR 
942 |c BK