• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Gelişmiş
  • Полупроводниковые материалы и...
  • Alıntıla
  • Telefona gönder
  • E-posta Gönder
  • Yazdır
  • Kaydı İhraç Et
    • İhraç Et RefWorks
    • İhraç Et EndNoteWeb
    • İhraç Et EndNote
  • Kalıcı bağlantı
Полупроводниковые материалы и приборы

Полупроводниковые материалы и приборы

Detaylı Bibliyografya
Müşterek Yazar: Академия наук Молдавской ССР (АН МССР) Институт прикладной физики
Diğer Yazarlar: Радауцан С. И. (редактор)
Dil:Rusça
Baskı/Yayın Bilgisi: Кишинев, Штиинца, 1987
Konular:
Полупроводниковые материалы > Параметры > Измерение
Полупроводниковые приборы
микроэлектроника
приборные структуры
фосфид индия
цинк
селенид сурьмы
температурные зависимости
окись цинка
теллурид цинка
кристаллы
криостаты
многоканальные установки
гибридные устройства
освещение
халькогенидные стеклообразные полупроводники
оптические изображения
фоточувствительность
Materyal Türü: Kitap
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=269676
  • Erişim Bilgileri
  • Diğer Bilgiler
  • Benzer Materyaller
  • MARC Görünümü
Diğer Bilgiler
Fiziksel Özellikler:152 с. ил.

Benzer Materyaller

  • Физика полупроводниковых материалов и приборов: тематический сборник
    Baskı/Yayın Bilgisi: (Москва, Изд-во МЭИ, 1981)
  • Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
    Yazar:: Новиков В. А. Владимир Александрович
    Baskı/Yayın Bilgisi: (Томск, [Б. и.], 2007)
  • Материалы, используемые в полупроводниковых приборах: пер. с англ.
    Baskı/Yayın Bilgisi: (Москва, Мир, 1968)
  • Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
    Yazar:: Новиков В. А. Владимир Александрович
    Baskı/Yayın Bilgisi: (Томск, [Б. и.], 2007)
  • Физика полупроводниковых и магнитных материалов: сборник научных трудов
    Baskı/Yayın Bilgisi: (Орджоникидзе, [Б. и.], 1977)