Эпитаксиальные пленки

Эпитаксиальные пленки

Dettagli Bibliografici
Autore principale:	Палатник Л. С. Лев Самойлович
Altri autori:	Папиров И. И. Игорь Исакович
Lingua:	russo
Pubblicazione:	Москва, Наука, 1971
Soggetti:	Пленки эпитаксиальные > Получение рост кремний легирование германий наращивание кристаллизация полупроводниковые соединения эпитаксия соединения
Natura:	Libro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=265217

Documenti analoghi

Исследование морфологии и спектральных свойств гетерокомпозиций GESI/SI, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Спец. 01.04.15
di: Лапин В. А. Вячеслав Анатольевич
Pubblicazione: (Нальчик, 2013)

Особенности формирования AIN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
di: Милахин Д. С. Денис Сергеевич
Pubblicazione: (Новосибирск, [Б. и.], 2021)

Эпитаксиальные пленки соединений АIIВVI
di: Калинкин И. П. Игорь Петрович
Pubblicazione: (Ленинград, Изд-во Ленинградского ун-та, 1978)

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 1.3.11
di: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Pubblicazione: (Новосибирск, 2025)

Искусственная эпитаксия - перспективная технология элементной базы микроэлектроники
di: Гиваргизов Е. И. Евгений Инвиевич
Pubblicazione: (Москва, Наука, 1988)

Структурные и морфологические трансформации слоистых халькогенидов металлов при эпитаксиальном росте автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 1.3.8
di: Пономарев С. А. Сергей Артемьевич
Pubblicazione: (Новосибирск, 2025)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
di: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Pubblicazione: (Томск, [Б. и.], 2018)

Полупроводниковые пленки для микроэлектроники
Pubblicazione: (Новосибирск, Наука, 1977)

Жидкофазная эпитаксия кремния
Pubblicazione: (Москва, Металлургия, 1989)

Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе
di: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
Pubblicazione: (Москва, Энергия, 1974)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
di: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Pubblicazione: (Томск, [Б. и.], 2017)

МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники
di: Акчурин Р. Х.
Pubblicazione: (Москва, Техносфера, 2018)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
di: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Pubblicazione: (Томск, 2017)

Эпитаксиальные пленки на основе гадолиний-галлиевого граната как перспективный магнитооптический и оптически-активный материал
di: Рандошкин В. В.
Pubblicazione: (2004)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
di: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Pubblicazione: (Томск, 2018)

Процессы роста полупроводниковых кристаллов и пленок
Pubblicazione: (Новосибирск, Наука, Сибирское отделение, 1981)

Устройство и наладка оборудования полупроводникового производства учебник для среднего профессионально-технического образования
di: Моряков О. С. Олег Сергеевич
Pubblicazione: (Москва, Высшая школа, 1981)

Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 3. Эпитаксиальный рост учебник для вузов
di: Александрова О. А.
Pubblicazione: (Санкт-Петербург, Лань, 2023)

Основные процессы планарной технологии кремниевых ИПС учебное пособие
Pubblicazione: (Москва, [Б. и.], 1977)

Физико-химические основы жидкофазной эпитаксии
di: Уфимцев В. Б. Всеволод Борисович
Pubblicazione: (Москва, Металлургия, 1983)

Эпитаксиальные методы получения наноразмерных гетероструктур InGaAlP
di: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Pubblicazione: (2012)

Исследование влияния технологических параметров системы Ga-AsCl3-H2 - лигатура на рост и свойства эпитаксиальных структур GaAs для СВЧ-приборов диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 05.12.11
di: Чижевич Л. А.
Pubblicazione: (Томск, [Б. и.], 1974)

Очистка металлов и полупроводников кристаллизацией
di: Вигдорович В. Н. Виленин Наумович
Pubblicazione: (Москва, Металлургия, 1969)

Ч. 1 : Физико-химические основы методов синтеза
Pubblicazione: (1983)

Монокристаллические пленки доклады Международной конференции, 1963 г., г. Блю Белл (США)
Pubblicazione: (Москва, Мир, 1966)

Технология полупроводникового производства (программированное пособие) учебное пособие
di: Мокеев О. К. Олег Константинович
Pubblicazione: (Москва, Высшая школа, 1984)

Материаловедение полупроводников и диэлектриков.
di: Горелик С. С.
Pubblicazione: (Москва, МИСИС, 2003)

Эпитаксиальные образования в природе и их учет в землепользовании
di: Киреева А. Е.
Pubblicazione: (2016)

Эпитаксиальные кремниевые слои на диэлектрических подложках и приборы на их основе
di: Папков В. С. Владимир Сергеевич
Pubblicazione: (Москва, Энергия, 1979)

Газофазная микрометаллургия полупроводников
di: Дорфман В. Ф. Вениамин Фриделевич
Pubblicazione: (Москва, Металлургия, 1974)

Т. 2 : Рост кристаллов из растворов. Выращивание монокристаллов и пленок высокотемпературных сверхпроводников
Pubblicazione: (1988)

Тонкие пленки антимонида индия: получение, свойства, применение монография
Pubblicazione: (Кишинев, Штиинца, 1989)

Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок монография
di: Александров Л. Н. Леонид Наумович
Pubblicazione: (Новосибирск, Наука, 1978)

Поверхность кристалла и эпитаксия
di: Абдурагимов Г. А. Гаджи Асланович
Pubblicazione: (Ростов-на-Дону, Изд-во Ростовского ун-та, 1987)

Материаловедение полупроводников и диэлектриков учебник
di: Горелик С. С. Семен Самуилович
Pubblicazione: (Москва, МИСиС, 2003)

Физико-химические основы легирования полупроводников
di: Глазов В. М. Василий Михайлович
Pubblicazione: (Москва, Наука, 1967)

Т. 2: Технологические аспекты
Pubblicazione: (2011)

Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Спец. 01.04.10
di: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Pubblicazione: (Томск, [Б. и.], 2005)

Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Спец. 01.04.10
di: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Pubblicazione: (Томск, [Б. и.], 2005)

Технология изделий микроэлектроники учебное пособие
di: Рыбин Н. Б.
Pubblicazione: (Рязань, РГРТУ, 2023)