Эпитаксиальные пленки
| Glavni autor: | Палатник Л. С. Лев Самойлович |
|---|---|
| Daljnji autori: | Папиров И. И. Игорь Исакович |
| Jezik: | ruski |
| Izdano: |
Москва, Наука, 1971
|
| Teme: | |
| Format: | Knjiga |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=265217 |
Slični predmeti
Исследование морфологии и спектральных свойств гетерокомпозиций GESI/SI, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; Спец. 01.04.15
od: Лапин В. А. Вячеслав Анатольевич
Izdano: (Нальчик, 2013)
od: Лапин В. А. Вячеслав Анатольевич
Izdano: (Нальчик, 2013)
Эпитаксиальные пленки соединений АIIВVI
od: Калинкин И. П. Игорь Петрович
Izdano: (Ленинград, Изд-во Ленинградского ун-та, 1978)
od: Калинкин И. П. Игорь Петрович
Izdano: (Ленинград, Изд-во Ленинградского ун-та, 1978)
Особенности формирования AIN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
od: Милахин Д. С. Денис Сергеевич
Izdano: (Новосибирск, [Б. и.], 2021)
od: Милахин Д. С. Денис Сергеевич
Izdano: (Новосибирск, [Б. и.], 2021)
Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
od: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Izdano: (Новосибирск, 2025)
od: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Izdano: (Новосибирск, 2025)
Искусственная эпитаксия - перспективная технология элементной базы микроэлектроники
od: Гиваргизов Е. И. Евгений Инвиевич
Izdano: (Москва, Наука, 1988)
od: Гиваргизов Е. И. Евгений Инвиевич
Izdano: (Москва, Наука, 1988)
Структурные и морфологические трансформации слоистых халькогенидов металлов при эпитаксиальном росте: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.8
od: Пономарев С. А. Сергей Артемьевич
Izdano: (Новосибирск, 2025)
od: Пономарев С. А. Сергей Артемьевич
Izdano: (Новосибирск, 2025)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
od: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Izdano: (Томск, [Б. и.], 2018)
od: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Izdano: (Томск, [Б. и.], 2018)
Полупроводниковые пленки для микроэлектроники
Izdano: (Новосибирск, Наука, 1977)
Izdano: (Новосибирск, Наука, 1977)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
od: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Izdano: (Томск, [Б. и.], 2017)
od: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Izdano: (Томск, [Б. и.], 2017)
Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе
od: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
Izdano: (Москва, Энергия, 1974)
od: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
Izdano: (Москва, Энергия, 1974)
Жидкофазная эпитаксия кремния
Izdano: (Москва, Металлургия, 1989)
Izdano: (Москва, Металлургия, 1989)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
od: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Izdano: (Томск, 2017)
od: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Izdano: (Томск, 2017)
Эпитаксиальные пленки на основе гадолиний-галлиевого граната как перспективный магнитооптический и оптически-активный материал; Наукоемкие технологии; № 11
od: Рандошкин В. В.
Izdano: (2004)
od: Рандошкин В. В.
Izdano: (2004)
МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники
od: Акчурин Р. Х.
Izdano: (Москва, Техносфера, 2018)
od: Акчурин Р. Х.
Izdano: (Москва, Техносфера, 2018)
Синтез и рост совершенных кристаллов и пленок полупроводников: сборник статей
Izdano: (Новосибирск, Наука, 1981)
Izdano: (Новосибирск, Наука, 1981)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
od: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Izdano: (Томск, 2018)
od: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Izdano: (Томск, 2018)
Процессы роста полупроводниковых кристаллов и пленок
Izdano: (Новосибирск, Наука, Сибирское отделение, 1981)
Izdano: (Новосибирск, Наука, Сибирское отделение, 1981)
Полупроводниковые пленки и слоистые структуры
Izdano: (Киев, Наукова думка, 1977)
Izdano: (Киев, Наукова думка, 1977)
Устройство и наладка оборудования полупроводникового производства: учебник для среднего профессионально-технического образования
od: Моряков О. С. Олег Сергеевич
Izdano: (Москва, Высшая школа, 1981)
od: Моряков О. С. Олег Сергеевич
Izdano: (Москва, Высшая школа, 1981)
Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 3. Эпитаксиальный рост учебник для вузов
od: Александрова О. А.
Izdano: (Санкт-Петербург, Лань, 2023)
od: Александрова О. А.
Izdano: (Санкт-Петербург, Лань, 2023)
Основные процессы планарной технологии кремниевых ИПС: учебное пособие
Izdano: (Москва, [Б. и.], 1977)
Izdano: (Москва, [Б. и.], 1977)
Физико-химические основы жидкофазной эпитаксии
od: Уфимцев В. Б. Всеволод Борисович
Izdano: (Москва, Металлургия, 1983)
od: Уфимцев В. Б. Всеволод Борисович
Izdano: (Москва, Металлургия, 1983)
Исследование влияния технологических параметров системы Ga-AsCl3-H2 - лигатура на рост и свойства эпитаксиальных структур GaAs для СВЧ-приборов: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 05.12.11
od: Чижевич Л. А.
Izdano: (Томск, [Б. и.], 1974)
od: Чижевич Л. А.
Izdano: (Томск, [Б. и.], 1974)
Эпитаксиальные методы получения наноразмерных гетероструктур InGaAlP; Актуальные проблемы биохимии и бионанотехнологии; Т. 2
od: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Izdano: (2012)
od: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Izdano: (2012)
Очистка металлов и полупроводников кристаллизацией
od: Вигдорович В. Н. Виленин Наумович
Izdano: (Москва, Металлургия, 1969)
od: Вигдорович В. Н. Виленин Наумович
Izdano: (Москва, Металлургия, 1969)
Ч. 1 : Физико-химические основы методов синтеза; Материалы электронной техники
Izdano: (1983)
Izdano: (1983)
Технология полупроводникового производства (программированное пособие): учебное пособие
od: Мокеев О. К. Олег Константинович
Izdano: (Москва, Высшая школа, 1984)
od: Мокеев О. К. Олег Константинович
Izdano: (Москва, Высшая школа, 1984)
Материаловедение полупроводников и диэлектриков.
od: Горелик С. С.
Izdano: (Москва, МИСИС, 2003)
od: Горелик С. С.
Izdano: (Москва, МИСИС, 2003)
Эпитаксиальные кремниевые слои на диэлектрических подложках и приборы на их основе
od: Папков В. С. Владимир Сергеевич
Izdano: (Москва, Энергия, 1979)
od: Папков В. С. Владимир Сергеевич
Izdano: (Москва, Энергия, 1979)
Монокристаллические пленки: доклады Международной конференции, 1963 г., г. Блю Белл (США)
Izdano: (Москва, Мир, 1966)
Izdano: (Москва, Мир, 1966)
Эпитаксиальные образования в природе и их учет в землепользовании; Проблемы геологии и освоения недр; Т. 2
od: Киреева А. Е.
Izdano: (2016)
od: Киреева А. Е.
Izdano: (2016)
Тонкие пленки антимонида индия: получение, свойства, применение: монография
Izdano: (Кишинев, Штиинца, 1989)
Izdano: (Кишинев, Штиинца, 1989)
Газофазная микрометаллургия полупроводников
od: Дорфман В. Ф. Вениамин Фриделевич
Izdano: (Москва, Металлургия, 1974)
od: Дорфман В. Ф. Вениамин Фриделевич
Izdano: (Москва, Металлургия, 1974)
Т. 2 : Рост кристаллов из растворов. Выращивание монокристаллов и пленок высокотемпературных сверхпроводников; 7 Всесоюзная конференция по росту кристаллов; Симпозиум по молекулярно-лучевой эпитаксии, Москва, 14-19 ноября 1988 г.
Izdano: (1988)
Izdano: (1988)
Материаловедение полупроводников и диэлектриков: учебник
od: Горелик С. С. Семен Самуилович
Izdano: (Москва, МИСиС, 2003)
od: Горелик С. С. Семен Самуилович
Izdano: (Москва, МИСиС, 2003)
Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок: монография
od: Александров Л. Н. Леонид Наумович
Izdano: (Новосибирск, Наука, 1978)
od: Александров Л. Н. Леонид Наумович
Izdano: (Новосибирск, Наука, 1978)
Поверхность кристалла и эпитаксия
od: Абдурагимов Г. А. Гаджи Асланович
Izdano: (Ростов-на-Дону, Изд-во Ростовского ун-та, 1987)
od: Абдурагимов Г. А. Гаджи Асланович
Izdano: (Ростов-на-Дону, Изд-во Ростовского ун-та, 1987)
Физико-химические основы легирования полупроводников
od: Глазов В. М. Василий Михайлович
Izdano: (Москва, Наука, 1967)
od: Глазов В. М. Василий Михайлович
Izdano: (Москва, Наука, 1967)
Т. 2: Технологические аспекты; Введение в процессы интегральных микро- и нанотехнологий
Izdano: (2011)
Izdano: (2011)
Эпитаксиальные датчики Холла и их применение
Izdano: (Ташкент, Фан, 1986)
Izdano: (Ташкент, Фан, 1986)
Slični predmeti
-
Исследование морфологии и спектральных свойств гетерокомпозиций GESI/SI, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; Спец. 01.04.15
od: Лапин В. А. Вячеслав Анатольевич
Izdano: (Нальчик, 2013) -
Эпитаксиальные пленки соединений АIIВVI
od: Калинкин И. П. Игорь Петрович
Izdano: (Ленинград, Изд-во Ленинградского ун-та, 1978) -
Особенности формирования AIN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
od: Милахин Д. С. Денис Сергеевич
Izdano: (Новосибирск, [Б. и.], 2021) -
Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
od: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Izdano: (Новосибирск, 2025) -
Искусственная эпитаксия - перспективная технология элементной базы микроэлектроники
od: Гиваргизов Е. И. Евгений Инвиевич
Izdano: (Москва, Наука, 1988)