Эпитаксиальные пленки

Эпитаксиальные пленки

Sonraí bibleagrafaíochta
Príomhchruthaitheoir:	Палатник Л. С. Лев Самойлович
Rannpháirtithe:	Папиров И. И. Игорь Исакович
Teanga:	Rúisis
Foilsithe / Cruthaithe:	Москва, Наука, 1971
Ábhair:	Пленки эпитаксиальные > Получение рост кремний легирование германий наращивание кристаллизация полупроводниковые соединения эпитаксия соединения
Formáid:	LEABHAR
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=265217

Míreanna comhchosúla

Исследование морфологии и спектральных свойств гетерокомпозиций GESI/SI, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; Спец. 01.04.15
de réir: Лапин В. А. Вячеслав Анатольевич
Foilsithe / Cruthaithe: (Нальчик, 2013)

Эпитаксиальные пленки соединений АIIВVI
de réir: Калинкин И. П. Игорь Петрович
Foilsithe / Cruthaithe: (Ленинград, Изд-во Ленинградского ун-та, 1978)

Особенности формирования AIN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
de réir: Милахин Д. С. Денис Сергеевич
Foilsithe / Cruthaithe: (Новосибирск, [Б. и.], 2021)

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
de réir: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Foilsithe / Cruthaithe: (Новосибирск, 2025)

Искусственная эпитаксия - перспективная технология элементной базы микроэлектроники
de réir: Гиваргизов Е. И. Евгений Инвиевич
Foilsithe / Cruthaithe: (Москва, Наука, 1988)

Структурные и морфологические трансформации слоистых халькогенидов металлов при эпитаксиальном росте: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.8
de réir: Пономарев С. А. Сергей Артемьевич
Foilsithe / Cruthaithe: (Новосибирск, 2025)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
de réir: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Foilsithe / Cruthaithe: (Томск, [Б. и.], 2018)

Полупроводниковые пленки для микроэлектроники
Foilsithe / Cruthaithe: (Новосибирск, Наука, 1977)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
de réir: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Foilsithe / Cruthaithe: (Томск, [Б. и.], 2017)

Жидкофазная эпитаксия кремния
Foilsithe / Cruthaithe: (Москва, Металлургия, 1989)

Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе
de réir: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
Foilsithe / Cruthaithe: (Москва, Энергия, 1974)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
de réir: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Foilsithe / Cruthaithe: (Томск, 2017)

МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники
de réir: Акчурин Р. Х.
Foilsithe / Cruthaithe: (Москва, Техносфера, 2018)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
de réir: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Foilsithe / Cruthaithe: (Томск, 2018)

Эпитаксиальные пленки на основе гадолиний-галлиевого граната как перспективный магнитооптический и оптически-активный материал; Наукоемкие технологии; № 11
de réir: Рандошкин В. В.
Foilsithe / Cruthaithe: (2004)

Синтез и рост совершенных кристаллов и пленок полупроводников: сборник статей
Foilsithe / Cruthaithe: (Новосибирск, Наука, 1981)

Процессы роста полупроводниковых кристаллов и пленок
Foilsithe / Cruthaithe: (Новосибирск, Наука, Сибирское отделение, 1981)

Полупроводниковые пленки и слоистые структуры
Foilsithe / Cruthaithe: (Киев, Наукова думка, 1977)

Устройство и наладка оборудования полупроводникового производства: учебник для среднего профессионально-технического образования
de réir: Моряков О. С. Олег Сергеевич
Foilsithe / Cruthaithe: (Москва, Высшая школа, 1981)

Основные процессы планарной технологии кремниевых ИПС: учебное пособие
Foilsithe / Cruthaithe: (Москва, [Б. и.], 1977)

Физико-химические основы жидкофазной эпитаксии
de réir: Уфимцев В. Б. Всеволод Борисович
Foilsithe / Cruthaithe: (Москва, Металлургия, 1983)

Исследование влияния технологических параметров системы Ga-AsCl3-H2 - лигатура на рост и свойства эпитаксиальных структур GaAs для СВЧ-приборов: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 05.12.11
de réir: Чижевич Л. А.
Foilsithe / Cruthaithe: (Томск, [Б. и.], 1974)

Очистка металлов и полупроводников кристаллизацией
de réir: Вигдорович В. Н. Виленин Наумович
Foilsithe / Cruthaithe: (Москва, Металлургия, 1969)

Эпитаксиальные методы получения наноразмерных гетероструктур InGaAlP; Актуальные проблемы биохимии и бионанотехнологии; Т. 2
de réir: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Foilsithe / Cruthaithe: (2012)

Ч. 1 : Физико-химические основы методов синтеза; Материалы электронной техники
Foilsithe / Cruthaithe: (1983)

Технология полупроводникового производства (программированное пособие): учебное пособие
de réir: Мокеев О. К. Олег Константинович
Foilsithe / Cruthaithe: (Москва, Высшая школа, 1984)

Материаловедение полупроводников и диэлектриков.
de réir: Горелик С. С.
Foilsithe / Cruthaithe: (Москва, МИСИС, 2003)

Эпитаксиальные кремниевые слои на диэлектрических подложках и приборы на их основе
de réir: Папков В. С. Владимир Сергеевич
Foilsithe / Cruthaithe: (Москва, Энергия, 1979)

Монокристаллические пленки: доклады Международной конференции, 1963 г., г. Блю Белл (США)
Foilsithe / Cruthaithe: (Москва, Мир, 1966)

Тонкие пленки антимонида индия: получение, свойства, применение: монография
Foilsithe / Cruthaithe: (Кишинев, Штиинца, 1989)

Эпитаксиальные образования в природе и их учет в землепользовании; Проблемы геологии и освоения недр; Т. 2
de réir: Киреева А. Е.
Foilsithe / Cruthaithe: (2016)

Т. 2 : Рост кристаллов из растворов. Выращивание монокристаллов и пленок высокотемпературных сверхпроводников; 7 Всесоюзная конференция по росту кристаллов; Симпозиум по молекулярно-лучевой эпитаксии, Москва, 14-19 ноября 1988 г.
Foilsithe / Cruthaithe: (1988)

Газофазная микрометаллургия полупроводников
de réir: Дорфман В. Ф. Вениамин Фриделевич
Foilsithe / Cruthaithe: (Москва, Металлургия, 1974)

Поверхность кристалла и эпитаксия
de réir: Абдурагимов Г. А. Гаджи Асланович
Foilsithe / Cruthaithe: (Ростов-на-Дону, Изд-во Ростовского ун-та, 1987)

Т. 2: Технологические аспекты; Введение в процессы интегральных микро- и нанотехнологий
Foilsithe / Cruthaithe: (2011)

Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок: монография
de réir: Александров Л. Н. Леонид Наумович
Foilsithe / Cruthaithe: (Новосибирск, Наука, 1978)

Материаловедение полупроводников и диэлектриков: учебник
de réir: Горелик С. С. Семен Самуилович
Foilsithe / Cruthaithe: (Москва, МИСиС, 2003)

Физико-химические основы легирования полупроводников
de réir: Глазов В. М. Василий Михайлович
Foilsithe / Cruthaithe: (Москва, Наука, 1967)

Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.10
de réir: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Foilsithe / Cruthaithe: (Томск, [Б. и.], 2005)

Кинетика кристаллизации и перекристализации полупроводниковых плёнок
de réir: Александров Л. Н. Леонид Наумович
Foilsithe / Cruthaithe: (Новосибирск, Наука, 1985)