• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Avançada
  • Эпитаксиальные пленки...
  • Citar
  • Enviar aquest missatge de text
  • Enviar per correu electrònic aquest
  • Imprimir
  • Exportar registre
    • Exportar a RefWorks
    • Exportar a EndNoteWeb
    • Exportar a EndNote
  • Enllaç permanent
Эпитаксиальные пленки

Эпитаксиальные пленки

Dades bibliogràfiques
Autor principal: Палатник Л. С. Лев Самойлович
Altres autors: Папиров И. И. Игорь Исакович
Idioma:rus
Publicat: Москва, Наука, 1971
Matèries:
Пленки эпитаксиальные > Получение
рост
кремний
легирование
германий
наращивание
кристаллизация
полупроводниковые соединения
эпитаксия
соединения
Format: Llibre
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=265217
  • Fons
  • Descripció
  • Ítems similars
  • Visualització del personal

Ítems similars

  • Исследование морфологии и спектральных свойств гетерокомпозиций GESI/SI, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Спец. 01.04.15
    per: Лапин В. А. Вячеслав Анатольевич
    Publicat: (Нальчик, 2013)
  • Особенности формирования AIN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
    per: Милахин Д. С. Денис Сергеевич
    Publicat: (Новосибирск, [Б. и.], 2021)
  • Эпитаксиальные пленки соединений АIIВVI
    per: Калинкин И. П. Игорь Петрович
    Publicat: (Ленинград, Изд-во Ленинградского ун-та, 1978)
  • Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 1.3.11
    per: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
    Publicat: (Новосибирск, 2025)
  • Искусственная эпитаксия - перспективная технология элементной базы микроэлектроники
    per: Гиваргизов Е. И. Евгений Инвиевич
    Publicat: (Москва, Наука, 1988)