• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Расширенный поиск
  • Эпитаксиальные пленки...
  • Цитировать
  • Отправить по sms
  • Отправить на Email
  • Печать
  • Запись для экспорта
    • Экспорт в RefWorks
    • Экспорт в EndNoteWeb
    • Экспорт в EndNote
  • Постоянная ссылка
Эпитаксиальные пленки

Эпитаксиальные пленки

Библиографические подробности
Главный автор: Палатник Л. С. Лев Самойлович
Другие авторы: Папиров И. И. Игорь Исакович
Язык:русский
Опубликовано: Москва, Наука, 1971
Предметы:
Пленки эпитаксиальные > Получение
рост
кремний
легирование
германий
наращивание
кристаллизация
полупроводниковые соединения
эпитаксия
соединения
Формат: Книга
Запись в KOHA:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=265217
  • Фонды
  • Описание
  • Схожие документы
  • Marc-запись
Описание
Объем:480 с. ил.

Схожие документы

  • Исследование морфологии и спектральных свойств гетерокомпозиций GESI/SI, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; Спец. 01.04.15
    по: Лапин В. А. Вячеслав Анатольевич
    Опубликовано: (Нальчик, 2013)
  • Эпитаксиальные пленки соединений АIIВVI
    по: Калинкин И. П. Игорь Петрович
    Опубликовано: (Ленинград, Изд-во Ленинградского ун-та, 1978)
  • Особенности формирования AIN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
    по: Милахин Д. С. Денис Сергеевич
    Опубликовано: (Новосибирск, [Б. и.], 2021)
  • Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
    по: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
    Опубликовано: (Новосибирск, 2025)
  • Искусственная эпитаксия - перспективная технология элементной базы микроэлектроники
    по: Гиваргизов Е. И. Евгений Инвиевич
    Опубликовано: (Москва, Наука, 1988)