Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной, учебное пособие
| Autor principal: | |
|---|---|
| Autor corporatiu: | |
| Sumari: | Заглавие с титульного экрана Электронная версия печатной публикации Монография посвящена исследованию фундаментальных закономерностей рекомбинации и спиновой релаксации экситонов в новом классе полупроводниковых гетероструктур первого рода с непрямой запрещенной зоной. Экспериментально обосновано формирование подобных гетероструктур в системах InAs/AlAs, GaSb/GaP, GaAs/GaP, GaSb/AlAs. Определены закономерности некогерентной динамики электронных возбуждений в непрямозонных квантовых точках первого рода. Показано, что доминирующим механизмом релаксации локализованных в квантовых точках нейтральных и отрицательно заряженных экситонов является спин-решеточная релаксация с участием одного акустического фонона. Предназначена для подготовки магистрантов и аспирантов в области физики полупроводников и научных работников Режим доступа: из корпоративной сети ТПУ |
| Idioma: | rus |
| Publicat: |
Томск, Изд-во ТПУ, 2013
|
| Matèries: | |
| Accés en línia: | http://www.lib.tpu.ru/fulltext2/m/2014/m210.pdf |
| Format: | Electrònic Llibre |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=264455 |
MARC
| LEADER | 00000nlm0a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 264455 | ||
| 005 | 20231101233831.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\book\287447 | ||
| 090 | |a 264455 | ||
| 100 | |a 20140619d2013 km y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 105 | |a a j 001zy | ||
| 135 | |a drcn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 200 | 1 | |a Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной |b Электронный ресурс |e учебное пособие |f Т. С. Шамирзаев |g Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) | |
| 203 | |a Текст |c электронный | ||
| 210 | |a Томск |c Изд-во ТПУ |d 2013 | ||
| 230 | |a 1 компьютерный файл (pdf; 5.6 MB) | ||
| 300 | |a Заглавие с титульного экрана | ||
| 300 | |a Электронная версия печатной публикации | ||
| 330 | |a Монография посвящена исследованию фундаментальных закономерностей рекомбинации и спиновой релаксации экситонов в новом классе полупроводниковых гетероструктур первого рода с непрямой запрещенной зоной. Экспериментально обосновано формирование подобных гетероструктур в системах InAs/AlAs, GaSb/GaP, GaAs/GaP, GaSb/AlAs. Определены закономерности некогерентной динамики электронных возбуждений в непрямозонных квантовых точках первого рода. Показано, что доминирующим механизмом релаксации локализованных в квантовых точках нейтральных и отрицательно заряженных экситонов является спин-решеточная релаксация с участием одного акустического фонона. Предназначена для подготовки магистрантов и аспирантов в области физики полупроводников и научных работников | ||
| 333 | |a Режим доступа: из корпоративной сети ТПУ | ||
| 337 | |a Adobe Reader | ||
| 452 | 1 | |0 (RuTPU)RU\TPU\book\283530 |y 978-5-4387-0345-7 |t Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной |o монография |f Т. С. Шамирзаев |g Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) |c Томск |n Изд-во ТПУ |d 2013 |p 199 с. |a Шамирзаев, Тимур Сезгирович | |
| 606 | 1 | |a Экситоны в полупроводниках |2 stltpush |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\26649 |9 50533 | |
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 610 | 1 | |a учебные пособия | |
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 610 | 1 | |a полупроводниковые гетероструктуры | |
| 610 | 1 | |a экситоны | |
| 610 | 1 | |a гетероструктуры | |
| 610 | 1 | |a энергетические спектры | |
| 610 | 1 | |a квантовые ямы | |
| 610 | 1 | |a гетеросистемы | |
| 610 | 1 | |a квантовые точки | |
| 610 | 1 | |a электронные возбуждения | |
| 610 | 1 | |a спиновая релаксация | |
| 610 | 1 | |a монографии | |
| 675 | |a 537.311.322:530.145 |v 3 | ||
| 700 | 1 | |a Шамирзаев |b Т. С. |g Тимур Сезгирович | |
| 712 | 0 | 2 | |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) |b Институт физики высоких технологий (ИФВТ) |b Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ) |h 65 |2 stltpush |3 (RuTPU)RU\TPU\col\18690 |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20150408 |g RCR | |
| 856 | 4 | |u http://www.lib.tpu.ru/fulltext2/m/2014/m210.pdf | |
| 942 | |c CF | ||