Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной учебное пособие

Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной, учебное пособие

Bibliographic Details
Main Author:	Шамирзаев Т. С. Тимур Сезгирович
Corporate Author:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ)
Summary:	Заглавие с титульного экрана Электронная версия печатной публикации Монография посвящена исследованию фундаментальных закономерностей рекомбинации и спиновой релаксации экситонов в новом классе полупроводниковых гетероструктур первого рода с непрямой запрещенной зоной. Экспериментально обосновано формирование подобных гетероструктур в системах InAs/AlAs, GaSb/GaP, GaAs/GaP, GaSb/AlAs. Определены закономерности некогерентной динамики электронных возбуждений в непрямозонных квантовых точках первого рода. Показано, что доминирующим механизмом релаксации локализованных в квантовых точках нейтральных и отрицательно заряженных экситонов является спин-решеточная релаксация с участием одного акустического фонона. Предназначена для подготовки магистрантов и аспирантов в области физики полупроводников и научных работников Режим доступа: из корпоративной сети ТПУ
Language:	Russian
Published:	Томск, Изд-во ТПУ, 2013
Subjects:	электронный ресурс учебные пособия труды учёных ТПУ полупроводниковые гетероструктуры экситоны гетероструктуры энергетические спектры квантовые ямы гетеросистемы квантовые точки электронные возбуждения спиновая релаксация монографии
Online Access:	http://www.lib.tpu.ru/fulltext2/m/2014/m210.pdf
Format:	Electronic Book
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=264455

Internet

http://www.lib.tpu.ru/fulltext2/m/2014/m210.pdf