Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной: учебное пособие
| Autor principal: | |
|---|---|
| Autor Corporativo: | |
| Sumario: | Заглавие с титульного экрана Электронная версия печатной публикации Монография посвящена исследованию фундаментальных закономерностей рекомбинации и спиновой релаксации экситонов в новом классе полупроводниковых гетероструктур первого рода с непрямой запрещенной зоной. Экспериментально обосновано формирование подобных гетероструктур в системах InAs/AlAs, GaSb/GaP, GaAs/GaP, GaSb/AlAs. Определены закономерности некогерентной динамики электронных возбуждений в непрямозонных квантовых точках первого рода. Показано, что доминирующим механизмом релаксации локализованных в квантовых точках нейтральных и отрицательно заряженных экситонов является спин-решеточная релаксация с участием одного акустического фонона. Предназначена для подготовки магистрантов и аспирантов в области физики полупроводников и научных работников Режим доступа: из корпоративной сети ТПУ |
| Lenguaje: | ruso |
| Publicado: |
Томск, Изд-во ТПУ, 2013
|
| Materias: | |
| Acceso en línea: | http://www.lib.tpu.ru/fulltext2/m/2014/m210.pdf |
| Formato: | Electrónico Libro |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=264455 |
| Sumario: | Заглавие с титульного экрана Электронная версия печатной публикации Монография посвящена исследованию фундаментальных закономерностей рекомбинации и спиновой релаксации экситонов в новом классе полупроводниковых гетероструктур первого рода с непрямой запрещенной зоной. Экспериментально обосновано формирование подобных гетероструктур в системах InAs/AlAs, GaSb/GaP, GaAs/GaP, GaSb/AlAs. Определены закономерности некогерентной динамики электронных возбуждений в непрямозонных квантовых точках первого рода. Показано, что доминирующим механизмом релаксации локализованных в квантовых точках нейтральных и отрицательно заряженных экситонов является спин-решеточная релаксация с участием одного акустического фонона. Предназначена для подготовки магистрантов и аспирантов в области физики полупроводников и научных работников Режим доступа: из корпоративной сети ТПУ |
|---|