Российская академия наук (РАН) Сибирское отделение (СО) Институт неорганической химии им. А. В. Николаева (ИНХ), Российская академия наук (РАН) Сибирское отделение (СО) Иркутский институт химии им. А. Е. Фаворского (ИрИХ), Российская академия наук (РАН) Сибирское отделение (СО) Институт физики полупроводников (ИФП), & Смирнов Т. П. (2013). Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники. Новосибирск, Изд-во СО РАН, 2013.
Čikaški stil citiranja (17. izdanje)Российская академия наук (РАН) Сибирское отделение (СО) Институт неорганической химии им. А. В. Николаева (ИНХ), Российская академия наук (РАН) Сибирское отделение (СО) Иркутский институт химии им. А. Е. Фаворского (ИрИХ), Российская академия наук (РАН) Сибирское отделение (СО) Институт физики полупроводников (ИФП), i Смирнов Т. П. Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники. Новосибирск, Изд-во СО РАН, 2013, 2013.
MLA način citiranja (9. izdanje)Российская академия наук (РАН) Сибирское отделение (СО) Институт неорганической химии им. А. В. Николаева (ИНХ), et al. Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники. Новосибирск, Изд-во СО РАН, 2013, 2013.