Российская академия наук (РАН) Сибирское отделение (СО) Институт неорганической химии им. А. В. Николаева (ИНХ), Российская академия наук (РАН) Сибирское отделение (СО) Иркутский институт химии им. А. Е. Фаворского (ИрИХ), Российская академия наук (РАН) Сибирское отделение (СО) Институт физики полупроводников (ИФП), & Смирнов Т. П. (2013). Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники. Новосибирск, Изд-во СО РАН, 2013.
Citação do estilo Chicago (17ª ed.)Российская академия наук (РАН) Сибирское отделение (СО) Институт неорганической химии им. А. В. Николаева (ИНХ), Российская академия наук (РАН) Сибирское отделение (СО) Иркутский институт химии им. А. Е. Фаворского (ИрИХ), Российская академия наук (РАН) Сибирское отделение (СО) Институт физики полупроводников (ИФП), e Смирнов Т. П. Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники. Новосибирск, Изд-во СО РАН, 2013, 2013.
Citação MLA (9ª ed.)Российская академия наук (РАН) Сибирское отделение (СО) Институт неорганической химии им. А. В. Николаева (ИНХ), et al. Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники. Новосибирск, Изд-во СО РАН, 2013, 2013.