Cita APA

Российская академия наук (РАН) Сибирское отделение (СО) Институт неорганической химии им. А. В. Николаева (ИНХ), Российская академия наук (РАН) Сибирское отделение (СО) Иркутский институт химии им. А. Е. Фаворского (ИрИХ), Российская академия наук (РАН) Сибирское отделение (СО) Институт физики полупроводников (ИФП), & Смирнов Т. П. (2013). Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники. Новосибирск, Изд-во СО РАН, 2013.

Citación estilo Chicago

Российская академия наук (РАН) Сибирское отделение (СО) Институт неорганической химии им. А. В. Николаева (ИНХ), Российская академия наук (РАН) Сибирское отделение (СО) Иркутский институт химии им. А. Е. Фаворского (ИрИХ), Российская академия наук (РАН) Сибирское отделение (СО) Институт физики полупроводников (ИФП), and Смирнов Т. П. Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники. Новосибирск, Изд-во СО РАН, 2013, 2013.

Cita MLA

Российская академия наук (РАН) Сибирское отделение (СО) Институт неорганической химии им. А. В. Николаева (ИНХ), et al. Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники. Новосибирск, Изд-во СО РАН, 2013, 2013.