Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники

Bibliographic Details
Corporate Authors: Российская академия наук (РАН) Сибирское отделение (СО) Институт неорганической химии им. А. В. Николаева (ИНХ), Российская академия наук (РАН) Сибирское отделение (СО) Иркутский институт химии им. А. Е. Фаворского (ИрИХ), Российская академия наук (РАН) Сибирское отделение (СО) Институт физики полупроводников (ИФП)
Other Authors: Смирнов Т. П. (340)
Summary:В монографии представлены результаты развития процессов химического осаждения из газовой фазы металлических и диэлектрических пленок с использованием нетрадиционных летучих исходных соединений, а именно, комплексных соединений металлов и кремнийор-ганических соединений, синтезируемых в ИНХ СО РАН и ИрИХ СО РАН. Рассматриваются результаты исследования физико-химических свойств исходных соединений. Изложены принципы выбора исходных соединений, основанные на исследовании их термодинамических свойств и термодинамическом моделировании МО CVD процессов. Получены и исследованы наиболее важные для современной ..электроники и наноэлектроники материалы: металлические пленки (Си, Ni, Ru, Ir), диэлектрические пленки с высоким (high-k) и низким (low-k) значением диэлектрической проницаемости. Изучены химический, фазовый состав и структура простых и сложных оксидов на основе НЮ2 (high-k диэлектрики), а также карбонитридов бора, карбонитридов и оксикарбонитридов кремния (low-k диэлектрики). Книга адресуется студентам, аспирантам, инженерам и научным сотрудникам, занимающимся химией твердого тела, микроэлектроникой и технологией материалов электронной техники.
Published: Новосибирск, Изд-во СО РАН, 2013
Series:Интеграционные проекты СО РАН Вып. 37
Subjects:
Format: Book
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=262860