MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 262353
005 20231101233638.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\285336 
090 |a 262353 
100 |a 20140531d1984 k y0rusy50 ca 
101 1 |a rus  |c eng 
102 |a RU 
105 |a a z 001zy 
200 1 |a Точечные дефекты в полупроводниках.Теория.  |e пер. с англ.  |f М. Ланно, Ж. Бургуэн  |g под ред. В. Л. Гуревича 
210 |a Москва  |c Мир  |d 1984 
215 |a 263 с.  |c ил. 
320 |a Библиогр.: с. 248-253. 
320 |a Предметный указатель: с. 254-259. 
606 1 |a Полупроводники  |x Кристаллохимия  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50565  |9 69218 
610 1 |a физика 
610 1 |a точечные дефекты 
610 1 |a теория 
610 1 |a симметрия 
610 1 |a конфигурация 
610 1 |a эффективная масса 
610 1 |a глубокие уровни 
610 1 |a энтропия 
610 1 |a термодинамика 
610 1 |a диффузия 
610 1 |a миграция 
675 |a 537.311.322:548  |v 3 
700 1 |a Ланно  |b М.  |g Мишель 
701 1 |a Бургуэн  |b Ж.  |g Жак 
702 1 |a Гуревич  |b В. Л.  |4 340 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20140531 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20150515  |g RCR 
942 |c BK