|
|
|
|
| LEADER |
00000nam0a2200000 4500 |
| 001 |
262353 |
| 005 |
20231101233638.0 |
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\book\285336
|
| 090 |
|
|
|a 262353
|
| 100 |
|
|
|a 20140531d1984 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
1 |
|
|a rus
|c eng
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a a z 001zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Точечные дефекты в полупроводниках.Теория.
|e пер. с англ.
|f М. Ланно, Ж. Бургуэн
|g под ред. В. Л. Гуревича
|
| 210 |
|
|
|a Москва
|c Мир
|d 1984
|
| 215 |
|
|
|a 263 с.
|c ил.
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр.: с. 248-253.
|
| 320 |
|
|
|a Предметный указатель: с. 254-259.
|
| 606 |
1 |
|
|a Полупроводники
|x Кристаллохимия
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50565
|9 69218
|
| 610 |
1 |
|
|a физика
|
| 610 |
1 |
|
|a точечные дефекты
|
| 610 |
1 |
|
|a теория
|
| 610 |
1 |
|
|a симметрия
|
| 610 |
1 |
|
|a конфигурация
|
| 610 |
1 |
|
|a эффективная масса
|
| 610 |
1 |
|
|a глубокие уровни
|
| 610 |
1 |
|
|a энтропия
|
| 610 |
1 |
|
|a термодинамика
|
| 610 |
1 |
|
|a диффузия
|
| 610 |
1 |
|
|a миграция
|
| 675 |
|
|
|a 537.311.322:548
|v 3
|
| 700 |
|
1 |
|a Ланно
|b М.
|g Мишель
|
| 701 |
|
1 |
|a Бургуэн
|b Ж.
|g Жак
|
| 702 |
|
1 |
|a Гуревич
|b В. Л.
|4 340
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20140531
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20150515
|g RCR
|
| 942 |
|
|
|c BK
|