• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Tarkennettu
  • Точечные дефекты в полупроводн...
  • Sitaatti
  • Tekstiviesti
  • Lähetä sähköpostilla
  • Tulosta
  • Vie tietue
    • Vienti: RefWorks
    • Vienti: EndNoteWeb
    • Vienti: EndNote
  • Pysyvä linkki
Точечные дефекты в полупроводниках.Теория. пер. с англ.

Точечные дефекты в полупроводниках.Теория., пер. с англ.

Bibliografiset tiedot
Päätekijä: Ланно М. Мишель
Muut tekijät: Бургуэн Ж. Жак (340), Гуревич В. Л.
Kieli:venäjä
Julkaistu: Москва, Мир, 1984
Aiheet:
Полупроводники > Кристаллохимия
физика
точечные дефекты
теория
симметрия
конфигурация
эффективная масса
глубокие уровни
энтропия
термодинамика
диффузия
миграция
Aineistotyyppi: Kirja
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=262353
  • Saatavuustiedot
  • Kuvaus
  • Samankaltaisia teoksia
  • Henkilökuntanäyttö

Samankaltaisia teoksia

  • Точечные дефекты в полупроводниках пер. с англ.
    Tekijä: Бургуэн Ж. Жак
    Julkaistu: (Москва, Мир, 1985)
  • Физика и материаловедение полупроводников с глубокими уровнями.
    Julkaistu: (Москва, Металлургия, 1987)
  • Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников
    Tekijä: Мильвидский М. Г. Михаил Григорьевич
    Julkaistu: (Москва, Металлургия, 1984)
  • Дефекты в кремнии и на его поверхности
    Tekijä: Вавилов В. С. Виктор Сергеевич
    Julkaistu: (Москва, Наука, 1990)
  • Квантовая теория явлений электронного переноса в кристаллических полупроводниках
    Tekijä: Зырянов П. С. Павел Степанович
    Julkaistu: (Москва, Наука, 1976)