MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 261308
005 20231031221533.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\284284 
090 |a 261308 
100 |a 20140522d1979 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a a z 001zy 
200 1 |a Внутреннее трение и дефекты в полупроводниках  |f Л. Н. Александров, М. И. Зотов  |g Академия наук СССР (АН СССР), Сибирское отделение (СО), Институт физики полупроводников (ИФП) ; под ред. Л. С. Смирнова 
210 |a Новосибирск  |c Наука  |d 1979 
215 |a 160 с.  |c ил. 
320 |a Библиогр.: с. 149-158. 
606 1 |a Полупроводники  |x Дефекты  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50558 
610 1 |a трение 
610 1 |a измерение 
610 1 |a исследование 
610 1 |a кремний 
610 1 |a германий 
675 |a 537.311.322:539  |v 3 
700 1 |a Александров  |b Л. Н.  |g Леонид Наумович 
701 1 |a Зотов  |b М. И.  |g Михаил Иванович 
702 1 |a Смирнов  |b Л. С.  |4 340 
712 0 2 |a Академия наук СССР (АН СССР)  |b Сибирское отделение (СО)  |b Институт физики полупроводников (ИФП)  |c (Новосибирск)  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\11385 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20140522 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20160316  |g RCR 
942 |c BK