• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Recherche avancée
  • Внутреннее трение и дефекты в...
  • Citer
  • Envoyer par SMS
  • Envoyer par courriel
  • Imprimer
  • Exporter les notices
    • Exporter vers RefWorks
    • Exporter vers EndNoteWeb
    • Exporter vers EndNote
  • Permalien
Внутреннее трение и дефекты в полупроводниках

Внутреннее трение и дефекты в полупроводниках

Détails bibliographiques
Auteur principal: Александров Л. Н. Леонид Наумович
Collectivité auteur: Академия наук СССР (АН СССР) Сибирское отделение (СО) Институт физики полупроводников (ИФП)
Autres auteurs: Зотов М. И. Михаил Иванович (редактор), Смирнов Л. С.
Langue:russe
Publié: Новосибирск, Наука, 1979
Sujets:
Полупроводники > Дефекты
трение
измерение
исследование
кремний
германий
Format: Livre
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=261308
  • Exemplaires
  • Description
  • Documents similaires
  • Affichage MARC

Documents similaires

  • Дефекты в кристаллах полупроводников: сборник статей; пер. с англ.
    Publié: (Москва, Мир, 1969)
  • Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках
    par: Вавилов В. С. Виктор Сергеевич
    Publié: (Москва, Наука, 1981)
  • Теория радиационных дефектов в полупроводниках
    par: Тележкин В. А. Вениамин Александрович
    Publié: (Киев, Наукова думка, 1988)
  • Дефекты и диффузия в эпитаксиальных структурах: [монография]
    par: Джафаров Т. Д. Таяр Джумшуд оглы
    Publié: (Ленинград, Наука, 1978)
  • Диффузия в полупроводниках
    par: Болтакс Б. И. Борис Иосифович
    Publié: (Москва, Физматгиз, 1961)