MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 260891
005 20231101233521.0
010 |a 5120093337 
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\283862 
090 |a 260891 
100 |a 20140519d1988 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a UA 
105 |a a z 001zy 
200 1 |a Математическое моделирование процессов выращивания кристаллических полупроводниковых материалов  |f А. Е. Степанов, Л. Г. Кириллова  |g Академия наук Украинской ССР (АН УССР), Институт проблем моделирования в энергетике (ИПМЭ) 
210 |a Киев  |c Наукова думка  |d 1988 
215 |a 184 с.  |c ил. 
320 |a Библиогр.: с. 176-182. 
606 1 |a Полупроводники  |x Кристаллы  |x Рост  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50566  |9 69219 
610 1 |a математические основы 
610 1 |a модели 
610 1 |a алгоритмы 
610 1 |a жидкостная эпитаксия 
610 1 |a монокристаллы 
610 1 |a выращивание 
610 1 |a моделирование 
675 |a 621.315.592.002  |v 3 
700 1 |a Степанов  |b А. Е.  |g Аркадий Евгеньевич 
701 1 |a Кириллова  |b Л. Г.  |g Лариса Генриховна 
712 0 2 |a Академия наук Украинской ССР (АН УССР)  |b Институт проблем моделирования в энергетике (ИПМЭ)  |c (Киев)  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\7445 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20140519 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20150320  |g RCR 
942 |c BK