• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Udvidet
  • Математическое моделирование п...
  • Citér dette
  • Stav dette
  • Email dette
  • Udskriv
  • Eksportér post
    • Eksportér til RefWorks
    • Eksportér til EndNoteWeb
    • Eksportér til EndNote
  • Permanent link
Математическое моделирование процессов выращивания кристаллических полупроводниковых материалов

Математическое моделирование процессов выращивания кристаллических полупроводниковых материалов

Bibliografiske detaljer
Hovedforfatter: Степанов А. Е. Аркадий Евгеньевич
Institution som forfatter: Академия наук Украинской ССР (АН УССР) Институт проблем моделирования в энергетике (ИПМЭ)
Andre forfattere: Кириллова Л. Г. Лариса Генриховна
Sprog:russisk
Udgivet: Киев, Наукова думка, 1988
Fag:
Полупроводники > Кристаллы > Рост
математические основы
модели
алгоритмы
жидкостная эпитаксия
монокристаллы
выращивание
моделирование
Format: Bog
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=260891
  • Beholdninger
  • Beskrivelse
  • Lignende værker
  • Medarbejdervisning

Lignende værker

  • Ч. 1; Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок
    Udgivet: (1975)
  • Ч. 2; Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок
    Udgivet: (1975)
  • Ч. 1 : Физико-химические основы методов синтеза; Материалы электронной техники
    Udgivet: (1983)
  • Т. 18; Рост кристаллов
    Udgivet: (1990)
  • Т. 3 : Рост кристаллов из расплавов; 7 Всесоюзная конференция по росту кристаллов; Симпозиум по молекулярно-лучевой эпитаксии, Москва, 14-19 ноября 1988 г.
    Udgivet: (1988)