• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
מתקדם
  • Математическое моделирование п...
  • יצירת מראה מקום
  • שליחה במסרון
  • שלח את זה
  • הדפסה
  • יצוא רשומה
    • יצוא אל RefWorks
    • יצוא אל EndNoteWeb
    • יצוא אל EndNote
  • Permanent link
Математическое моделирование процессов выращивания кристаллических полупроводниковых материалов

Математическое моделирование процессов выращивания кристаллических полупроводниковых материалов

מידע ביבליוגרפי
מחבר ראשי: Степанов А. Е. Аркадий Евгеньевич
מחבר תאגידי: Академия наук Украинской ССР (АН УССР) Институт проблем моделирования в энергетике (ИПМЭ)
מחברים אחרים: Кириллова Л. Г. Лариса Генриховна
יצא לאור: Киев, Наукова думка, 1988
נושאים:
математические основы
модели
алгоритмы
жидкостная эпитаксия
монокристаллы
выращивание
моделирование
פורמט: ספר
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=260891
  • מלאי ספרים
  • תיאור
  • פריטים דומים
  • תצוגת צוות
תיאור
תיאור פיזי:184 с. ил.
ISBN:5120093337

פריטים דומים

  • Ч. 1
    יצא לאור: (1975)
  • Ч. 2
    יצא לאור: (1975)
  • Ч. 1 : Физико-химические основы методов синтеза
    יצא לאור: (1983)
  • Т. 18
    יצא לאור: (1990)
  • Т. 3 : Рост кристаллов из расплавов
    יצא לאור: (1988)