Физика соединений A3B5 сборник статей по материалам конференции

Физика соединений A3B5, сборник статей по материалам конференции

Bibliografische gegevens
Coauteur:	Ленинградский политехнический институт им. М. И. Калинина (ЛПИ)
Andere auteurs:	Уханов Ю. И. (340)
Taal:	Russisch
Gepubliceerd in:	Ленинград, Изд-во ЛПИ, 1979
Onderwerpen:	Полупроводники > Физика полупроводниковые соединения твердые растворы ферромагнетизм ЯМР арсенид галлия эффект Штарка монокристаллы спектроскопия правило Урбаха примеси анизотропия
Formaat:	Boek
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=260848

Gelijkaardige items

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
door: Толбанов О. П. Олег Петрович
Gepubliceerd in: (Томск, 1999)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
door: Толбанов О. П. Олег Петрович
Gepubliceerd in: (Томск, [Б. и.], 1999)

Фоточувствительные структуры и солнечные элементы на основе арсенида галлия
Gepubliceerd in: (Ташкент, Фан, 1986)

Проблемы физики поверхности полупроводников
Gepubliceerd in: (Киев, Наукова думка, 1981)

Особенности оптических свойств сильно легированного GaAs:Te в условиях коррелированного распределения примеси автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
door: Сидоров Е. Н. Евгений Николаевич
Gepubliceerd in: (Томск, 2010)

Влияние ионного облучения на критерии правила Урбаха в оксиде алюминия
door: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Gepubliceerd in: (2007)

Влияние ионного облучения на критерии правила Урбаха в оксиде алюминия
door: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Gepubliceerd in: (2008)

Явления переноса носителей заряда и тепла в полупроводниках
Gepubliceerd in: (Махачкала, Изд-во института физики ДФАН СССР, 1986)

Применение электронной оже-спектроскопии к исследованию полупроводниковых структур на основе арсенида галлия диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Спец. 01.04.07
door: Пирогов В. А. Виктор Алексеевич
Gepubliceerd in: (Томск, 1985)

Квантово-чувствительные детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия
door: Толбанов О. П.
Gepubliceerd in: (2003)

Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
door: Потапов А. И. Александр Иванович
Gepubliceerd in: (Томск, 1999)

Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе арсенида галлия диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук 01.04.10
door: Криворотов Н. П. Николай Павлович
Gepubliceerd in: (Томск, 2002)

Gallium arsenide digital integrated circuit design
door: Long Stephen I
Gepubliceerd in: (New York, McGraw-Hill, 1990)

Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
door: Потапов А. И. Александр Иванович
Gepubliceerd in: (Томск, [Б. и.], 1999)

Спектры DLTS арсенида галлия, облучённого нейтронами
door: Пешев В. В.
Gepubliceerd in: (2002)

Исследование поверхностно-барьерных переходов на арсениде галлия автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
door: Максимова Н. К.
Gepubliceerd in: (Томск, 1972)

Ч. 2 : Новые методики, легирование, критерии функциональной пригодности материалов
Gepubliceerd in: (1984)

Кристаллизация и свойства кристаллов межвузовский сборник
Gepubliceerd in: (Новочеркасск, Изд-во НПИ, 1985)

Чтения памяти А. Ф. Иоффе, 1987-1988 сборник научных трудов
Gepubliceerd in: (Ленинград, Наука, 1989)

Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 1. От минерального сырья к монокристаллу учебник для вузов
door: Александрова О. А.
Gepubliceerd in: (Санкт-Петербург, Лань, 2023)

Исследование стойкости омического контакта металл-арсенид галлия при гамма-облучении
door: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Gepubliceerd in: (2002)

Полупроводниковые пленки для микроэлектроники
Gepubliceerd in: (Новосибирск, Наука, 1977)

Кристалло - структурные исследования и микролокальные поля напряжений в арсениде галлия Исследования микротопографии распределения напряженных состояний в связи с несовершенствами структуры монокристаллов и текстуры поликристаллических агрегатов Межвузовская научно - техническая программа ПРИРОДОКОМПЛЕКС Промежуточный отчет о НИР Тема : г/б 01.02.03.2
Gepubliceerd in: (Томск, 1988)

Электрофизические свойства арсенида галлия учебное пособие
door: Сытенко Т. Н.
Gepubliceerd in: (Киев, Изд-во КПИ, 1978)

Явления токопереноса в тонкопленочных арсенидгаллиевых структурах
door: Костылев С. А. Сергей Александрович
Gepubliceerd in: (Киев, Наукова думка, 1990)

Радиопоглощающие свойства пеностекла с добавлением арсенида галлия
door: Стебенева В. И.
Gepubliceerd in: (2018)

Физические методы исследования в химии учебник
door: Пентин Ю. А. Юрий Андреевич
Gepubliceerd in: (Москва, Мир, 2012)

Физические методы исследования в химии учебник
door: Пентин Ю. А. Юрий Андреевич
Gepubliceerd in: (Москва, Мир, 2003)

Исследование методом электронной ОЖЕ-спектроскопии физико-химических взаимодействий в структурах металл-арсенид галлия автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
door: Пирогов В. А. Виктор Алексеевич
Gepubliceerd in: (Томск, Изд-во ТГУ, 1986)

Физические процессы в облученных полупроводниках
Gepubliceerd in: (Новосибирск, Наука, 1977)

Ч. 1 : Физико-химические основы методов синтеза
Gepubliceerd in: (1983)

Физические свойства полупроводников АIII ВV и Аlll BVI материалы Всесоюзной конференции по физическим свойствам полупроводников АIII ВV и Аlll BVI, Баку, октябрь 1965 г.
Gepubliceerd in: (Баку, Изд-во АН АзССР, 1967)

Получение пористого материала на основе отхода полупроводникового производства
door: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Gepubliceerd in: (2019)

Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе
door: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
Gepubliceerd in: (Москва, Энергия, 1974)

Полупроводниковые материалы и тонкте пленки на их поверхности
Gepubliceerd in: (Воронеж, Изд-во Воронежского гос. ун-та, 1982)

Формирование поверхностного и приповерхностного слоев на полупроводниках типа AIIIBV
door: Мокроусов Г. М.
Gepubliceerd in: (2008)

Нелинейные эффекты в процессах активированного окисления GaAs монография
door: Миттова И. Я. Ирина Яковлевна
Gepubliceerd in: (Воронеж, Изд-во Воронежского ГУ, 2008)

Электрооборудование кристаллизационных установок
door: Черкасов Н. М. Николай Максимович
Gepubliceerd in: (Москва, Металлургия, 1975)

Радиационный контроль полуизолирующего арсенида галлия
door: Клименов В. А. Василий Александрович
Gepubliceerd in: (2012)

The formation of amplitude spectra in X-ray pixel detectors made of gallium arsenide
door: Ayzenshtat G. I.
Gepubliceerd in: (2017)