Физика соединений A3B5: сборник статей по материалам конференции

Физика соединений A3B5: сборник статей по материалам конференции

Bibliographic Details
Corporate Author:	Ленинградский политехнический институт им. М. И. Калинина (ЛПИ)
Other Authors:	Уханов Ю. И. (редактор)
Language:	Russian
Published:	Ленинград, Изд-во ЛПИ, 1979
Subjects:	Полупроводники > Физика полупроводниковые соединения твердые растворы ферромагнетизм ЯМР арсенид галлия эффект Штарка монокристаллы спектроскопия правило Урбаха примеси анизотропия
Format:	Book
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=260848

Similar Items

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
by: Толбанов О. П. Олег Петрович
Published: (Томск, 1999)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
by: Толбанов О. П. Олег Петрович
Published: (Томск, [Б. и.], 1999)

Фоточувствительные структуры и солнечные элементы на основе арсенида галлия
Published: (Ташкент, Фан, 1986)

Влияние ионного облучения на критерии правила Урбаха в оксиде алюминия; ФВЗЧК-2007
by: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Published: (2007)

Проблемы физики поверхности полупроводников
Published: (Киев, Наукова думка, 1981)

Особенности оптических свойств сильно легированного GaAs:Te в условиях коррелированного распределения примеси: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
by: Сидоров Е. Н. Евгений Николаевич
Published: (Томск, 2010)

Влияние ионного облучения на критерии правила Урбаха в оксиде алюминия; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 4
by: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Published: (2008)

Явления переноса носителей заряда и тепла в полупроводниках
Published: (Махачкала, Изд-во института физики ДФАН СССР, 1986)

Применение электронной оже-спектроскопии к исследованию полупроводниковых структур на основе арсенида галлия: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.07
by: Пирогов В. А. Виктор Алексеевич
Published: (Томск, 1985)

Квантово-чувствительные детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 8
by: Толбанов О. П.
Published: (2003)

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
by: Пешев В. В. Владимир Викторович
Published: (Томск, 1999)

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
by: Пешев В. В. Владимир Викторович
Published: (Томск, [Б. и.], 1999)

Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
by: Потапов А. И. Александр Иванович
Published: (Томск, 1999)

Gallium arsenide digital integrated circuit design
by: Long Stephen I
Published: (New York, McGraw-Hill, 1990)

Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе арсенида галлия: диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук; 01.04.10
by: Криворотов Н. П. Николай Павлович
Published: (Томск, 2002)

Спектры DLTS арсенида галлия, облучённого нейтронами; Физика твердого тела
by: Пешев В. В.
Published: (2002)

Контакты с барьером Шоттки на основе арсенида галлия: структура, электрические свойства: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
by: Филонов Н. Г. Николай Григорьевич
Published: (Томск, 2000)

Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
by: Потапов А. И. Александр Иванович
Published: (Томск, [Б. и.], 1999)

Исследование поверхностно-барьерных переходов на арсениде галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
by: Максимова Н. К.
Published: (Томск, 1972)

Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе арсенида галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук:; Спец. 01.04.10
by: Криворотов Н. П. Николай Павлович
Published: (Томск, [Б. и.], 2002)

Ч. 2 : Новые методики, легирование, критерии функциональной пригодности материалов; Рост полупроводниковых кристаллов и пленок
Published: (1984)

Контакты с барьером Шоттки на основе арсенида галлия: структура, электрические свойства: Автореферат диссертации доктора физико-математических наук
by: Филонов Н. Г. Николай Григорьевич
Published: (Томск, [Б. и.], 2000)

Кристаллизация и свойства кристаллов: межвузовский сборник
Published: (Новочеркасск, Изд-во НПИ, 1985)

Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе арсенида галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук; спец. 01.04.10
by: Криворотов Н. П. Николай Павлович
Published: (Томск, [Б. и.], 2002)

Чтения памяти А. Ф. Иоффе, 1987-1988: сборник научных трудов
Published: (Ленинград, Наука, 1989)

Исследование стойкости омического контакта металл-арсенид галлия при гамма-облучении; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
by: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Published: (2002)

Полупроводниковые пленки для микроэлектроники
Published: (Новосибирск, Наука, 1977)

Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 1. От минерального сырья к монокристаллу учебник для вузов
by: Александрова О. А.
Published: (Санкт-Петербург, Лань, 2023)

Арсенид галлия. Труды Международного симпозиума, организованного Институтом физики и Физическим обществом Великобритании совместно с Лабораторией авиационной электроники ВВС США: пер. с англ.
Published: (Москва, Советское радио, 1972)

Электрофизические свойства арсенида галлия: учебное пособие
by: Сытенко Т. Н.
Published: (Киев, Изд-во КПИ, 1978)

Кристалло - структурные исследования и микролокальные поля напряжений в арсениде галлия; Исследования микротопографии распределения напряженных состояний в связи с несовершенствами структуры монокристаллов и текстуры поликристаллических агрегатов: Межвузовская научно - техническая программа ПРИРОДОКОМПЛЕКС; Промежуточный отчет о НИР; Тема : г/б 01.02.03.2
Published: (Томск, 1988)

Явления токопереноса в тонкопленочных арсенидгаллиевых структурах
by: Костылев С. А. Сергей Александрович
Published: (Киев, Наукова думка, 1990)

Релаксация наведённого тока в приборах на основе арсенида галлия после воздействия гамма-импульса; Физика твердого тела
by: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Published: (2002)

Радиопоглощающие свойства пеностекла с добавлением арсенида галлия; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 2 : Химия
by: Стебенева В. И.
Published: (2018)

Исследование методом электронной ОЖЕ-спектроскопии физико-химических взаимодействий в структурах металл-арсенид галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
by: Пирогов В. А. Виктор Алексеевич
Published: (Томск, Изд-во ТГУ, 1986)

Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе
by: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
Published: (Москва, Энергия, 1974)

Получение пористого материала на основе отхода полупроводникового производства; Проблемы геологии и освоения недр; Т. 2
by: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Published: (2019)

Физические процессы в облученных полупроводниках
Published: (Новосибирск, Наука, 1977)

Физические свойства полупроводников АIII ВV и Аlll BVI: материалы Всесоюзной конференции по физическим свойствам полупроводников АIII ВV и Аlll BVI, Баку, октябрь 1965 г.
Published: (Баку, Изд-во АН АзССР, 1967)

Ч. 1 : Физико-химические основы методов синтеза; Материалы электронной техники
Published: (1983)