Физика соединений A3B5: сборник статей по материалам конференции

Физика соединений A3B5: сборник статей по материалам конференции

Détails bibliographiques
Collectivité auteur:	Ленинградский политехнический институт им. М. И. Калинина (ЛПИ)
Autres auteurs:	Уханов Ю. И. (редактор)
Langue:	russe
Publié:	Ленинград, Изд-во ЛПИ, 1979
Sujets:	Полупроводники > Физика полупроводниковые соединения твердые растворы ферромагнетизм ЯМР арсенид галлия эффект Штарка монокристаллы спектроскопия правило Урбаха примеси анизотропия
Format:	Livre
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=260848

Documents similaires

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
par: Толбанов О. П. Олег Петрович
Publié: (Томск, 1999)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
par: Толбанов О. П. Олег Петрович
Publié: (Томск, [Б. и.], 1999)

Фоточувствительные структуры и солнечные элементы на основе арсенида галлия
Publié: (Ташкент, Фан, 1986)

Влияние ионного облучения на критерии правила Урбаха в оксиде алюминия; ФВЗЧК-2007
par: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publié: (2007)

Проблемы физики поверхности полупроводников
Publié: (Киев, Наукова думка, 1981)

Особенности оптических свойств сильно легированного GaAs:Te в условиях коррелированного распределения примеси: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
par: Сидоров Е. Н. Евгений Николаевич
Publié: (Томск, 2010)

Влияние ионного облучения на критерии правила Урбаха в оксиде алюминия; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 4
par: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publié: (2008)

Явления переноса носителей заряда и тепла в полупроводниках
Publié: (Махачкала, Изд-во института физики ДФАН СССР, 1986)

Применение электронной оже-спектроскопии к исследованию полупроводниковых структур на основе арсенида галлия: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.07
par: Пирогов В. А. Виктор Алексеевич
Publié: (Томск, 1985)

Квантово-чувствительные детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 8
par: Толбанов О. П.
Publié: (2003)

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
par: Пешев В. В. Владимир Викторович
Publié: (Томск, 1999)

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
par: Пешев В. В. Владимир Викторович
Publié: (Томск, [Б. и.], 1999)

Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
par: Потапов А. И. Александр Иванович
Publié: (Томск, 1999)

Gallium arsenide digital integrated circuit design
par: Long Stephen I
Publié: (New York, McGraw-Hill, 1990)

Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе арсенида галлия: диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук; 01.04.10
par: Криворотов Н. П. Николай Павлович
Publié: (Томск, 2002)

Спектры DLTS арсенида галлия, облучённого нейтронами; Физика твердого тела
par: Пешев В. В.
Publié: (2002)

Контакты с барьером Шоттки на основе арсенида галлия: структура, электрические свойства: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
par: Филонов Н. Г. Николай Григорьевич
Publié: (Томск, 2000)

Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
par: Потапов А. И. Александр Иванович
Publié: (Томск, [Б. и.], 1999)

Исследование поверхностно-барьерных переходов на арсениде галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
par: Максимова Н. К.
Publié: (Томск, 1972)

Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе арсенида галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук:; Спец. 01.04.10
par: Криворотов Н. П. Николай Павлович
Publié: (Томск, [Б. и.], 2002)

Ч. 2 : Новые методики, легирование, критерии функциональной пригодности материалов; Рост полупроводниковых кристаллов и пленок
Publié: (1984)

Контакты с барьером Шоттки на основе арсенида галлия: структура, электрические свойства: Автореферат диссертации доктора физико-математических наук
par: Филонов Н. Г. Николай Григорьевич
Publié: (Томск, [Б. и.], 2000)

Кристаллизация и свойства кристаллов: межвузовский сборник
Publié: (Новочеркасск, Изд-во НПИ, 1985)

Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе арсенида галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук; спец. 01.04.10
par: Криворотов Н. П. Николай Павлович
Publié: (Томск, [Б. и.], 2002)

Чтения памяти А. Ф. Иоффе, 1987-1988: сборник научных трудов
Publié: (Ленинград, Наука, 1989)

Исследование стойкости омического контакта металл-арсенид галлия при гамма-облучении; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
par: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publié: (2002)

Полупроводниковые пленки для микроэлектроники
Publié: (Новосибирск, Наука, 1977)

Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 1. От минерального сырья к монокристаллу учебник для вузов
par: Александрова О. А.
Publié: (Санкт-Петербург, Лань, 2023)

Арсенид галлия. Труды Международного симпозиума, организованного Институтом физики и Физическим обществом Великобритании совместно с Лабораторией авиационной электроники ВВС США: пер. с англ.
Publié: (Москва, Советское радио, 1972)

Электрофизические свойства арсенида галлия: учебное пособие
par: Сытенко Т. Н.
Publié: (Киев, Изд-во КПИ, 1978)

Кристалло - структурные исследования и микролокальные поля напряжений в арсениде галлия; Исследования микротопографии распределения напряженных состояний в связи с несовершенствами структуры монокристаллов и текстуры поликристаллических агрегатов: Межвузовская научно - техническая программа ПРИРОДОКОМПЛЕКС; Промежуточный отчет о НИР; Тема : г/б 01.02.03.2
Publié: (Томск, 1988)

Явления токопереноса в тонкопленочных арсенидгаллиевых структурах
par: Костылев С. А. Сергей Александрович
Publié: (Киев, Наукова думка, 1990)

Релаксация наведённого тока в приборах на основе арсенида галлия после воздействия гамма-импульса; Физика твердого тела
par: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publié: (2002)

Радиопоглощающие свойства пеностекла с добавлением арсенида галлия; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 2 : Химия
par: Стебенева В. И.
Publié: (2018)

Исследование методом электронной ОЖЕ-спектроскопии физико-химических взаимодействий в структурах металл-арсенид галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
par: Пирогов В. А. Виктор Алексеевич
Publié: (Томск, Изд-во ТГУ, 1986)

Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе
par: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
Publié: (Москва, Энергия, 1974)

Получение пористого материала на основе отхода полупроводникового производства; Проблемы геологии и освоения недр; Т. 2
par: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Publié: (2019)

Физические процессы в облученных полупроводниках
Publié: (Новосибирск, Наука, 1977)

Физические свойства полупроводников АIII ВV и Аlll BVI: материалы Всесоюзной конференции по физическим свойствам полупроводников АIII ВV и Аlll BVI, Баку, октябрь 1965 г.
Publié: (Баку, Изд-во АН АзССР, 1967)

Ч. 1 : Физико-химические основы методов синтеза; Материалы электронной техники
Publié: (1983)