• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Avanzata
  • Физика соединений A3B5...
  • Citazione
  • Invia SMS
  • Invia email
  • Stampa
  • Esporta il record
    • Esporta a RefWorks
    • Esporta a EndNoteWeb
    • Esporta a EndNote
  • PLink permanente
Физика соединений A3B5 сборник статей по материалам конференции

Физика соединений A3B5, сборник статей по материалам конференции

Dettagli Bibliografici
Ente Autore: Ленинградский политехнический институт им. М. И. Калинина (ЛПИ)
Altri autori: Уханов Ю. И. (340)
Pubblicazione: Ленинград, Изд-во ЛПИ, 1979
Soggetti:
полупроводниковые соединения
твердые растворы
ферромагнетизм
ЯМР
арсенид галлия
эффект Штарка
монокристаллы
спектроскопия
правило Урбаха
примеси
анизотропия
Natura: Libro
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=260848
  • Posseduto
  • Descrizione
  • Documenti analoghi
  • MARC21

Documenti analoghi

  • Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
    di: Толбанов О. П. Олег Петрович
    Pubblicazione: (Томск, 1999)
  • Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
    di: Толбанов О. П. Олег Петрович
    Pubblicazione: (Томск, [Б. и.], 1999)
  • Фоточувствительные структуры и солнечные элементы на основе арсенида галлия
    Pubblicazione: (Ташкент, Фан, 1986)
  • Влияние ионного облучения на критерии правила Урбаха в оксиде алюминия
    di: Кабышев А. В. Александр Васильевич
    Pubblicazione: (2007)
  • Проблемы физики поверхности полупроводников
    Pubblicazione: (Киев, Наукова думка, 1981)