• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Avançada
  • Физика соединений A3B5...
  • Citar
  • Enviar aquest missatge de text
  • Enviar per correu electrònic aquest
  • Imprimir
  • Exportar registre
    • Exportar a RefWorks
    • Exportar a EndNoteWeb
    • Exportar a EndNote
  • Enllaç permanent
Физика соединений A3B5 сборник статей по материалам конференции

Физика соединений A3B5, сборник статей по материалам конференции

Dades bibliogràfiques
Autor corporatiu: Ленинградский политехнический институт им. М. И. Калинина (ЛПИ)
Altres autors: Уханов Ю. И. (340)
Idioma:rus
Publicat: Ленинград, Изд-во ЛПИ, 1979
Matèries:
Полупроводники > Физика
полупроводниковые соединения
твердые растворы
ферромагнетизм
ЯМР
арсенид галлия
эффект Штарка
монокристаллы
спектроскопия
правило Урбаха
примеси
анизотропия
Format: Llibre
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=260848
  • Fons
  • Descripció
  • Ítems similars
  • Visualització del personal

Ítems similars

  • Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
    per: Толбанов О. П. Олег Петрович
    Publicat: (Томск, 1999)
  • Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
    per: Толбанов О. П. Олег Петрович
    Publicat: (Томск, [Б. и.], 1999)
  • Фоточувствительные структуры и солнечные элементы на основе арсенида галлия
    Publicat: (Ташкент, Фан, 1986)
  • Влияние ионного облучения на критерии правила Урбаха в оксиде алюминия
    per: Кабышев А. В. Александр Васильевич
    Publicat: (2007)
  • Особенности оптических свойств сильно легированного GaAs:Te в условиях коррелированного распределения примеси автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
    per: Сидоров Е. Н. Евгений Николаевич
    Publicat: (Томск, 2010)