• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Расширенный поиск
  • Физика соединений A3B5...
  • Цитировать
  • Отправить по sms
  • Отправить на Email
  • Печать
  • Запись для экспорта
    • Экспорт в RefWorks
    • Экспорт в EndNoteWeb
    • Экспорт в EndNote
  • Постоянная ссылка
Физика соединений A3B5 сборник статей по материалам конференции

Физика соединений A3B5, сборник статей по материалам конференции

Библиографические подробности
Автор-организация: Ленинградский политехнический институт им. М. И. Калинина (ЛПИ)
Другие авторы: Уханов Ю. И. (340)
Опубликовано: Ленинград, Изд-во ЛПИ, 1979
Предметы:
полупроводниковые соединения
твердые растворы
ферромагнетизм
ЯМР
арсенид галлия
эффект Штарка
монокристаллы
спектроскопия
правило Урбаха
примеси
анизотропия
Формат: Книга
Запись в KOHA:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=260848
  • Фонды
  • Описание
  • Схожие документы
  • Marc-запись
Описание
Объем:152 с. ил.

Схожие документы

  • Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
    по: Толбанов О. П. Олег Петрович
    Опубликовано: (Томск, 1999)
  • Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
    по: Толбанов О. П. Олег Петрович
    Опубликовано: (Томск, [Б. и.], 1999)
  • Фоточувствительные структуры и солнечные элементы на основе арсенида галлия
    Опубликовано: (Ташкент, Фан, 1986)
  • Влияние ионного облучения на критерии правила Урбаха в оксиде алюминия
    по: Кабышев А. В. Александр Васильевич
    Опубликовано: (2007)
  • Проблемы физики поверхности полупроводников
    Опубликовано: (Киев, Наукова думка, 1981)