Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной: монография

Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной: монография

Chi tiết về thư mục
Tác giả chính:	Шамирзаев Т. С. Тимур Сезгирович
Tác giả của công ty:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)
Tóm tắt:	Монография посвящена исследованию фундаментальных закономерностей рекомбинации и спиновой релаксации экситонов в новом классе полупроводниковых гетероструктур первого рода с непрямой запрещенной зоной. Экспериментально обосновано формирование подобных гетероструктур в системах InAs/AlAs, GaSb/GaP, GaAs/GaP, GaSb/AlAs. Определены закономерности некогерентной динамики электронных возбуждений в непрямозонных квантовых точках первого рода. Показано, что доминирующим механизмом релаксации локализованных в квантовых точках нейтральных и отрицательно заряженных экситонов является спин-решеточная релаксация с участием одного акустического фонона. Предназначена для подготовки магистрантов и аспирантов в области физики полупроводников и научных работников.
Ngôn ngữ:	Tiếng Nga
Được phát hành:	Томск, Изд-во ТПУ, 2013
Những chủ đề:	Экситоны в полупроводниках физика полупроводниковые гетероструктуры экситоны гетероструктуры энергетические спектры квантовые ямы гетеросистемы квантовые точки электронные возбуждения спиновая релаксация монографии
Định dạng:	Sách
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=260577

Những quyển sách tương tự

Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной: учебное пособие
Bằng: Шамирзаев Т. С. Тимур Сезгирович
Được phát hành: (Томск, Изд-во ТПУ, 2013)

Исследование конденсации экситонов в германии методами СВЧ: [сборник научных трудов]
Được phát hành: (Москва, Наука, 1977)

Кооперативные и неравновесные процессы в системе экситонов большой плотности: сборник статей
Được phát hành: (Кишинев, Штиинца, 1989)

Спектроскопия диамагнитных экситонов
Bằng: Сейсян Р. П. Рубен Павлович
Được phát hành: (Москва, Наука, 1984)

Кинетика экситонов большой плотности в полупроводниках
Bằng: Руссу С. С. Спиридон Семенович
Được phát hành: (Кишинев, Штиинца, 1986)

Нелинейные оптические процессы в системе экситонов и биэкситонов в полупроводниках: [монография]
Bằng: Хаджи П. И. Петр Иванович
Được phát hành: (Кишинев, Штиинца, 1985)

Лазерная спектроскопия экситонов в полупроводниках
Bằng: Шмиглюк М. И. Мирча Илларионович
Được phát hành: (Кишинев, Штиинца, 1980)

Экситоны в полупроводниках: [сборник]
Được phát hành: (Москва, Наука, 1971)

Биэкситоны в полупроводниках
Bằng: Бобрышева А. И. Анна Ихильевна
Được phát hành: (Кишинев, Штиинца, 1979)

Экситонная спектроскопия приповерхностной области полупроводников: [монография]
Bằng: Киселев В. А.
Được phát hành: (Ленинград, Изд-во Ленинградского ун-та, 1987)

Колебательные возбуждения, поляроны и экситоны в многослойных системах и сверхрешетках
Bằng: Покатилов Е. П. Евгений Петрович
Được phát hành: (Кишинев, Штиинца, 1990)

Экситоны: пер. с англ.
Được phát hành: (Москва, Наука, 1985)

Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001); Известия вузов. Физика; Т. 55, № 7
Bằng: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Được phát hành: (2012)

Топологические переходы в размерно-квантованных гетероструктурах; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 123, вып. 1
Bằng: Горбацевич А. А.
Được phát hành: (2003)

Комбинированные переходы двумерных электронов в несимметричных гетероструктурах; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 123, вып. 1
Bằng: Васько Ф. Т.
Được phát hành: (2003)

Взаимодействие экситонов с лазерным излучением: [сборник статей]
Được phát hành: (Кишинев, Штиинца, 1991)

Физика наносистем
Bằng: Кульбачинский В. А. Владимир Анатольевич
Được phát hành: (Москва, Физматлит, 2022)

Резонансное туннелирование через квантовую яму с двумя барьерами в поперечном магнитном поле; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 126, вып. 1
Bằng: Серов А. Ю.
Được phát hành: (2004)

Deterioration of Watt and Voltage Characteristics of AlGaInP Heterostructures under Irradiation by Fast Neutrons; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 110 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials (RTEP2015)
Bằng: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Được phát hành: (2016)

Оптическое поглощение двухганоидных автолокализованных экситонов в CsBr; Оптика и спектроскопия; Т. 60, вып. 3
Bằng: Кравченко В. А. Виктор Алексеевич
Được phát hành: (1986)

Исследование оптических свойств светодиодов на основе гетероструктур из широкозонных полупроводников; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2016)
Bằng: Бактыбаев А. А.
Được phát hành: (2016)

Диагностика радиационной стойкости светодиодов с наноразмерными квантовыми ямами на основе гетероструктур AlGaInP; Студент и научно-технический прогресс
Bằng: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Được phát hành: (2012)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP (λ = 630 нм) с множественными квантовыми ямами; Известия вузов. Физика; Т. 57, № 2-2
Bằng: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Được phát hành: (2014)

Влияние электрических полей на пропускание двойной гетероструктуры на основе GaN с квантовой ямой; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 11
Bằng: Грушко Н. С.
Được phát hành: (2004)

Transition in AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells during fast neutron radiation; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 81 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials
Bằng: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Được phát hành: (2015)

Исследование гетероструктур AlGaInP при облучении гамма-квантами в области перестройки дефектной структуры; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 11-3
Được phát hành: (2013)

Investigation of Changing Volt-Ampere Characteristics of AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells under Ionizing Radiation; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 110 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials (RTEP2015)
Bằng: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Được phát hành: (2016)

Туннельная излучательная рекомбинация в p-n- гетероструктурах на основе нитрида галлия и других соединнений типа [AIIIBV]; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 124, вып. 5
Bằng: Кудряшов В. Е.
Được phát hành: (2003)

Конкуренция сверхпроводимости и магнетизма в гетероструктурах ферромагнетик/сверхпроводник; Успехи физических наук; Т. 172, вып. 2
Bằng: Изюмов Ю. А.
Được phát hành: (2002)

Комплекс лабораторных работ «Физика твердотельных наноструктур»
Bằng: Филато Д. О.
Được phát hành: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2010)

Молекулярно-пучковая и МОС-гидридная технологии: методы формирования наноструктурированных гетерокомпозиций учебно-методическое пособие
Bằng: Курочка С. П.
Được phát hành: (Москва, МИСИС, 2015)

Теория молекулярных экситонов
Bằng: Давыдов А. С. Александр Сергеевич
Được phát hành: (Москва, Наука, 1968)

Сравнительный анализ спектрально-кинетических параметров автолокализованных экситонов и F2-центров окраски; Физика твердого тела
Bằng: Лисицына Л. А.
Được phát hành: (2002)

Теория экситонов
Bằng: Агранович В. М. Владимир Моисеевич
Được phát hành: (Москва, Наука, 1968)

LEDs based upon AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells: comparison of fast neutrons and gammaquanta irradiation; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 363 : Cognitive Robotics
Bằng: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Được phát hành: (2018)

Оптическая спектроскопия объемных полупроводников и наноструктур
Bằng: Тимофеев В. Б.
Được phát hành: (Санкт-Петербург, Лань, 2022)

Образование F-центров и автолокализованных экситонов в кристале CsBr под действием импульсных электронных пучков; Физика твердого тела; Т. 28, № 11
Bằng: Кравченко В. А. Виктор Алексеевич
Được phát hành: (1986)

Phenomenological Model of Radiation Hardness of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells; Materials Science Forum; Vol. 970 : Modern Problems in Materials Processing, Manufacturing, Testing and Quality Assurance II
Bằng: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Được phát hành: (2019)

Физика низкоразмерных структур учебное пособие
Bằng: Морозов В. Г.
Được phát hành: (Москва, РТУ МИРЭА, 2019)

Особенности перестройки электронного спектра двухъямной гетероструктуры GaAs/AlGaAs с переменной размерностью электронных состояний во внешнем электричесом поле; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 125, вып. 5
Được phát hành: (2004)