Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной монография

Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной, монография

Bibliographic Details
Main Author: Шамирзаев Т. С. Тимур Сезгирович
Corporate Author: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)
Summary:Монография посвящена исследованию фундаментальных закономерностей рекомбинации и спиновой релаксации экситонов в новом классе полупроводниковых гетероструктур первого рода с непрямой запрещенной зоной. Экспериментально обосновано формирование подобных гетероструктур в системах InAs/AlAs, GaSb/GaP, GaAs/GaP, GaSb/AlAs. Определены закономерности некогерентной динамики электронных возбуждений в непрямозонных квантовых точках первого рода. Показано, что доминирующим механизмом релаксации локализованных в квантовых точках нейтральных и отрицательно заряженных экситонов является спин-решеточная релаксация с участием одного акустического фонона. Предназначена для подготовки магистрантов и аспирантов в области физики полупроводников и научных работников.
Language:Russian
Published: Томск, Изд-во ТПУ, 2013
Subjects:
физика
полупроводниковые гетероструктуры
экситоны
гетероструктуры
энергетические спектры
квантовые ямы
гетеросистемы
квантовые точки
электронные возбуждения
спиновая релаксация
монографии
Format: Book
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=260577

Similar Items

Similar Items