| Summary: | Монография посвящена исследованию фундаментальных закономерностей рекомбинации и спиновой релаксации экситонов в новом классе полупроводниковых гетероструктур первого рода с непрямой запрещенной зоной. Экспериментально обосновано формирование подобных гетероструктур в системах InAs/AlAs, GaSb/GaP, GaAs/GaP, GaSb/AlAs. Определены закономерности некогерентной динамики электронных возбуждений в непрямозонных квантовых точках первого рода. Показано, что доминирующим механизмом релаксации локализованных в квантовых точках нейтральных и отрицательно заряженных экситонов является спин-решеточная релаксация с участием одного акустического фонона. Предназначена для подготовки магистрантов и аспирантов в области физики полупроводников и научных работников. |
|---|
