Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной, монография

Bibliografske podrobnosti
Glavni avtor: Шамирзаев Т. С. Тимур Сезгирович
Korporativna značnica: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)
Izvleček:Монография посвящена исследованию фундаментальных закономерностей рекомбинации и спиновой релаксации экситонов в новом классе полупроводниковых гетероструктур первого рода с непрямой запрещенной зоной. Экспериментально обосновано формирование подобных гетероструктур в системах InAs/AlAs, GaSb/GaP, GaAs/GaP, GaSb/AlAs. Определены закономерности некогерентной динамики электронных возбуждений в непрямозонных квантовых точках первого рода. Показано, что доминирующим механизмом релаксации локализованных в квантовых точках нейтральных и отрицательно заряженных экситонов является спин-решеточная релаксация с участием одного акустического фонона. Предназначена для подготовки магистрантов и аспирантов в области физики полупроводников и научных работников.
Jezik:ruščina
Izdano: Томск, Изд-во ТПУ, 2013
Teme:
Format: Knjiga
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=260577

MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 260577
005 20231101233506.0
010 |a 9785438703457 
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\283530 
090 |a 260577 
100 |a 20140516d2014 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a a z 001zy 
200 1 |a Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной  |e монография  |f Т. С. Шамирзаев  |g Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) 
210 |a Томск  |c Изд-во ТПУ  |d 2013 
215 |a 199 с.  |c ил. 
320 |a Библиогр.: с. 175-199. 
330 |a Монография посвящена исследованию фундаментальных закономерностей рекомбинации и спиновой релаксации экситонов в новом классе полупроводниковых гетероструктур первого рода с непрямой запрещенной зоной. Экспериментально обосновано формирование подобных гетероструктур в системах InAs/AlAs, GaSb/GaP, GaAs/GaP, GaSb/AlAs. Определены закономерности некогерентной динамики электронных возбуждений в непрямозонных квантовых точках первого рода. Показано, что доминирующим механизмом релаксации локализованных в квантовых точках нейтральных и отрицательно заряженных экситонов является спин-решеточная релаксация с участием одного акустического фонона. Предназначена для подготовки магистрантов и аспирантов в области физики полупроводников и научных работников. 
606 1 |a Экситоны в полупроводниках  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\26649  |9 50533 
610 1 |a физика 
610 1 |a полупроводниковые гетероструктуры 
610 1 |a экситоны 
610 1 |a гетероструктуры 
610 1 |a энергетические спектры 
610 1 |a квантовые ямы 
610 1 |a гетеросистемы 
610 1 |a квантовые точки 
610 1 |a электронные возбуждения 
610 1 |a спиновая релаксация 
610 1 |a монографии 
675 |a 537.311.322:530.145  |v 3 
700 1 |a Шамирзаев  |b Т. С.  |g Тимур Сезгирович 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)  |c (2009- )  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\15902 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20140516 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20140523  |g RCR 
942 |c BK