Anar al contingut
VuFind
    • English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Avançada
  • Получение эпитаксиальных струк...
  • Citar
  • Enviar aquest missatge de text
  • Enviar per correu electrònic aquest
  • Imprimir
  • Exportar registre
    • Exportar a RefWorks
    • Exportar a EndNoteWeb
    • Exportar a EndNote
  • Enllaç permanent
Получение эпитаксиальных структур кремния с контролируемым примесным профилем

Получение эпитаксиальных структур кремния с контролируемым примесным профилем

Dades bibliogràfiques
Autor principal: Харченко В. В. Валерий Владимирович
Idioma:rus
Publicat: Ташкент, Фан, 1989
Matèries:
примеси
эпитаксиальные структуры
диффузионные модели
автолегирование
осаждение
кинетика
получение
классификация
практическая реализация
Format: Llibre
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=253699
  • Fons
  • Descripció
  • Ítems similars
  • Visualització del personal

Ítems similars

  • Nhe Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon 1. Structure, Preparation, and Devices
    Publicat: (Berlin, Springer-Verlag, 1984)
  • Карбид кремния
    Publicat: (Киев, Гостехиздат, 1963)
  • The Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon II. Electronic and Vibrational Properties
    Publicat: (Berlin, Springer-Verlag, 1984)
  • Легирование эпитаксиальных слоев полупроводников
    per: Харченко В. В. Валерий Владимирович
    Publicat: (Ташкент, Фан, 1979)
  • Контроль параметров полупроводниковых материалов и эпитаксиальных слоев
    per: Батавин В. В. Виталий Васильевич
    Publicat: (Москва, Советское радио, 1976)