• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Avanzado
  • Получение эпитаксиальных струк...
  • Citar
  • Text this
  • Enviar este rexistro por email
  • Imprimir
  • Exportar rexistro
    • Exportar a RefWorks
    • Exportar a EndNoteWeb
    • Exportar a EndNote
  • Permanent link
Получение эпитаксиальных структур кремния с контролируемым примесным профилем

Получение эпитаксиальных структур кремния с контролируемым примесным профилем

Detalles Bibliográficos
Autor Principal: Харченко В. В. Валерий Владимирович
Autor Corporativo: Академия наук Узбекской ССР (АН УзССР)
Idioma:ruso
Publicado: Ташкент, Фан, 1989
Subjects:
Кремний > Физические основы
примеси
эпитаксиальные структуры
диффузионные модели
автолегирование
осаждение
кинетика
получение
классификация
практическая реализация
Formato: Libro
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=253699
  • Existencias
  • Descripción
  • Títulos similares
  • Staff View

Títulos similares

  • Nhe Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon 1. Structure, Preparation, and Devices
    Publicado: (Berlin, Springer-Verlag, 1984)
  • Карбид кремния
    Publicado: (Киев, Гостехиздат, 1963)
  • The Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon II. Electronic and Vibrational Properties
    Publicado: (Berlin, Springer-Verlag, 1984)
  • Контроль параметров полупроводниковых материалов и эпитаксиальных слоев
    por: Батавин В. В. Виталий Васильевич
    Publicado: (Москва, Советское радио, 1976)
  • Легирование эпитаксиальных слоев полупроводников
    por: Харченко В. В. Валерий Владимирович
    Publicado: (Ташкент, Фан, 1979)