Aller au contenu
VuFind
    • English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Recherche avancée
  • Получение эпитаксиальных струк...
  • Citer
  • Envoyer par SMS
  • Envoyer par courriel
  • Imprimer
  • Exporter les notices
    • Exporter vers RefWorks
    • Exporter vers EndNoteWeb
    • Exporter vers EndNote
  • Permalien
Получение эпитаксиальных структур кремния с контролируемым примесным профилем

Получение эпитаксиальных структур кремния с контролируемым примесным профилем

Détails bibliographiques
Auteur principal: Харченко В. В. Валерий Владимирович
Langue:russe
Publié: Ташкент, Фан, 1989
Sujets:
примеси
эпитаксиальные структуры
диффузионные модели
автолегирование
осаждение
кинетика
получение
классификация
практическая реализация
Format: Livre
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=253699
  • Exemplaires
  • Description
  • Documents similaires
  • Affichage MARC

Documents similaires

  • Nhe Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon 1. Structure, Preparation, and Devices
    Publié: (Berlin, Springer-Verlag, 1984)
  • Карбид кремния
    Publié: (Киев, Гостехиздат, 1963)
  • The Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon II. Electronic and Vibrational Properties
    Publié: (Berlin, Springer-Verlag, 1984)
  • Легирование эпитаксиальных слоев полупроводников
    par: Харченко В. В. Валерий Владимирович
    Publié: (Ташкент, Фан, 1979)
  • Контроль параметров полупроводниковых материалов и эпитаксиальных слоев
    par: Батавин В. В. Виталий Васильевич
    Publié: (Москва, Советское радио, 1976)