Получение эпитаксиальных структур кремния с контролируемым примесным профилем

Получение эпитаксиальных структур кремния с контролируемым примесным профилем

Detalles Bibliográficos
Autor Principal:	Харченко В. В. Валерий Владимирович
Autor Corporativo:	Академия наук Узбекской ССР (АН УзССР)
Idioma:	ruso
Publicado:	Ташкент, Фан, 1989
Subjects:	Кремний > Физические основы примеси эпитаксиальные структуры диффузионные модели автолегирование осаждение кинетика получение классификация практическая реализация
Formato:	Libro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=253699

Títulos similares

Nhe Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon 1. Structure, Preparation, and Devices
Publicado: (Berlin, Springer-Verlag, 1984)

Карбид кремния
Publicado: (Киев, Гостехиздат, 1963)

The Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon II. Electronic and Vibrational Properties
Publicado: (Berlin, Springer-Verlag, 1984)

Контроль параметров полупроводниковых материалов и эпитаксиальных слоев
por: Батавин В. В. Виталий Васильевич
Publicado: (Москва, Советское радио, 1976)

Легирование эпитаксиальных слоев полупроводников
por: Харченко В. В. Валерий Владимирович
Publicado: (Ташкент, Фан, 1979)

Т. 2: Технологические аспекты; Введение в процессы интегральных микро- и нанотехнологий
Publicado: (2011)

Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе
por: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
Publicado: (Москва, Энергия, 1974)

Дефекты и диффузия в эпитаксиальных структурах: [монография]
por: Джафаров Т. Д. Таяр Джумшуд оглы
Publicado: (Ленинград, Наука, 1978)

Жидкофазная эпитаксия кремния
Publicado: (Москва, Металлургия, 1989)

Физико-химия термического окисления кремния в присутствии примесей
por: Миттова И. Я. Ирина Яковлевна
Publicado: (Воронеж, Изд-во Воронежского гос. ун-та, 1987)

Исследование влияния технологических параметров системы Ga-AsCl3-H2 - лигатура на рост и свойства эпитаксиальных структур GaAs для СВЧ-приборов: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 05.12.11
por: Чижевич Л. А.
Publicado: (Томск, [Б. и.], 1974)

Осаждение из газовой фазы: сокр. пер. с англ.
Publicado: (Москва, Атомиздат, 1970)

Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок: монография
por: Александров Л. Н. Леонид Наумович
Publicado: (Новосибирск, Наука, 1978)

Фоторезисты-диффузанты в полупроводниковой технологии
Publicado: (Ленинград, Наука, 1984)

Влияние дислокаций на люминесценцию эпитаксиальных слоев GaN; Высокие технологии в современной науке и технике
Publicado: (2015)

Установка для получения поликристаллического кремния
Publicado: ()

Получение осадка с высоким содержанием диоксида кремния из раствора гексафторосиликата аммония; Известия вузов. Физика; Т. 53, № 11
Publicado: (2010)

Дефекты в кристаллах полупроводников: сборник статей; пер. с англ.
Publicado: (Москва, Мир, 1969)

Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 58, № 8-3
Publicado: (2015)

Установка для получения стержней поликристаллического кремния
Publicado: ()

Основы конструирования и технологии производства радиоэлектронных средств. Интегральные схемы: учебник для бакалавриата и магистратуры
Publicado: (Москва, Юрайт, 2016)

Теория формирования эпитаксиальных наноструктур
por: Дубровский В. Г. Владимир Германович
Publicado: (Москва, Физматлит, 2009)

Исследование морфологии и спектральных свойств гетерокомпозиций GESI/SI, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; Спец. 01.04.15
por: Лапин В. А. Вячеслав Анатольевич
Publicado: (Нальчик, 2013)

Вып. 1 : Структура, приготовление и приборы; Физика гидрогенизированного аморфного кремния
Publicado: (1987)

Исследование применения высокочастотного тока в установке производства поликристаллического кремния; Современные техника и технологии; Т. 3
por: Козин К. А. Кирилл Андреевич
Publicado: (2010)

Вып. 2 : Электронные и колебательные свойства; Физика гидрогенизированного аморфного кремния
Publicado: (1988)

Время-разрешенная люминесцентная спектроскопия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках Al2O3; Современные техника и технологии; Т. 2
por: Горина С. Г. Светлана Геннадьевна
Publicado: (2014)

Эпитаксиальные пленки
por: Палатник Л. С. Лев Самойлович
Publicado: (Москва, Наука, 1971)

Импульсная люминесцентная спектрометрия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках AL2O3; Ресурсоэффективным технологиям - энергию и энтузиазм молодых
por: Сычева А. В.
Publicado: (2014)

Диффузионные покрытия драгоценными металлами
por: Максимович Г. Г. Георгий Григорьевич
Publicado: (Киев, Наукова думка, 1978)

Математическое моделирование начальной стадии процесса внедрения ионов в поверхность металла в неизотермическом приближении; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2017)
por: Парфенова Е. С.
Publicado: (2017)

Ч. 1 : Молекулярная, лазерная эпитаксия. Распределение примесей и дефектов; Рост полупроводниковых кристаллов и пленок
Publicado: (Новосибирск, Наука, 1984)

Методы контроля качества монокристаллов арсенида галлия и фосфида индия эпитаксиальных слоев.; Исследование распределения напряжений в монокристаллах и эпитаксиальных слоях: Промежуточный отчет о НИР; Тема: х/д 2-51/86
Publicado: (Томск, 1989)

Зарядовые свойства МОП-структур
por: Гурский Л. И. Леонид Ильич
Publicado: (Минск, Наука и техника, 1980)

Зарядовые свойства моп-структур
por: Гурский Л. И. Леонид Ильич
Publicado: (Минск, Наука и техника, 1980)

Карбид кремния: пер. с англ.
Publicado: (Москва, Мир, 1972)

Т. 2; Рост кристаллов. Теория роста и методы выращивания кристаллов
Publicado: (1981)

Кристаллизация и свойства кристаллов: межвузовский сборник
Publicado: (Новочеркасск, Изд-во НПИ, 1985)

К вопросу о физической природе реализации эффекта ускорения ползучести субмикрокристаллических материалов; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 10
por: Раточка И. В.
Publicado: (2004)

Вып. 5; Активируемые процессы технологии микроэлектроники
Publicado: (1979)