Получение эпитаксиальных структур кремния с контролируемым примесным профилем

Получение эпитаксиальных структур кремния с контролируемым примесным профилем

Bibliographic Details
Main Author:	Харченко В. В. Валерий Владимирович
Corporate Author:	Академия наук Узбекской ССР (АН УзССР)
Language:	Russian
Published:	Ташкент, Фан, 1989
Subjects:	примеси эпитаксиальные структуры диффузионные модели автолегирование осаждение кинетика получение классификация практическая реализация
Format:	Book
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=253699

Similar Items

Nhe Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon 1. Structure, Preparation, and Devices
Published: (Berlin, Springer-Verlag, 1984)

Карбид кремния
Published: (Киев, Гостехиздат, 1963)

The Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon II. Electronic and Vibrational Properties
Published: (Berlin, Springer-Verlag, 1984)

Т. 2: Технологические аспекты
Published: (2011)

Контроль параметров полупроводниковых материалов и эпитаксиальных слоев
by: Батавин В. В. Виталий Васильевич
Published: (Москва, Советское радио, 1976)

Легирование эпитаксиальных слоев полупроводников
by: Харченко В. В. Валерий Владимирович
Published: (Ташкент, Фан, 1979)

Дефекты и диффузия в эпитаксиальных структурах [монография]
by: Джафаров Т. Д. Таяр Джумшуд оглы
Published: (Ленинград, Наука, 1978)

Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе
by: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
Published: (Москва, Энергия, 1974)

Жидкофазная эпитаксия кремния
Published: (Москва, Металлургия, 1989)

Физико-химия термического окисления кремния в присутствии примесей
by: Миттова И. Я. Ирина Яковлевна
Published: (Воронеж, Изд-во Воронежского гос. ун-та, 1987)

Исследование влияния технологических параметров системы Ga-AsCl3-H2 - лигатура на рост и свойства эпитаксиальных структур GaAs для СВЧ-приборов диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 05.12.11
by: Чижевич Л. А.
Published: (Томск, [Б. и.], 1974)

Влияние дислокаций на люминесценцию эпитаксиальных слоев GaN
Published: (2015)

Осаждение из газовой фазы сокр. пер. с англ.
Published: (Москва, Атомиздат, 1970)

Фоторезисты-диффузанты в полупроводниковой технологии
Published: (Ленинград, Наука, 1984)

Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок монография
by: Александров Л. Н. Леонид Наумович
Published: (Новосибирск, Наука, 1978)

Получение осадка с высоким содержанием диоксида кремния из раствора гексафторосиликата аммония
Published: (2010)

Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке
Published: (2015)

Дефекты в кристаллах полупроводников сборник статей пер. с англ.
Published: (Москва, Мир, 1969)

Основы конструирования и технологии производства радиоэлектронных средств. Интегральные схемы учебник для бакалавриата и магистратуры
Published: (Москва, Юрайт, 2016)

Установка для получения поликристаллического кремния
Published: ()

Исследование применения высокочастотного тока в установке производства поликристаллического кремния
by: Козин К. А. Кирилл Андреевич
Published: (2010)

Исследование морфологии и спектральных свойств гетерокомпозиций GESI/SI, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Спец. 01.04.15
by: Лапин В. А. Вячеслав Анатольевич
Published: (Нальчик, 2013)

Установка для получения стержней поликристаллического кремния
Published: ()

Эпитаксиальные пленки
by: Палатник Л. С. Лев Самойлович
Published: (Москва, Наука, 1971)

Время-разрешенная люминесцентная спектроскопия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках Al2O3
by: Горина С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (2014)

Импульсная люминесцентная спектрометрия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках AL2O3
by: Сычева А. В.
Published: (2014)

Теория формирования эпитаксиальных наноструктур
by: Дубровский В. Г. Владимир Германович
Published: (Москва, Физматлит, 2009)

Диффузионные покрытия драгоценными металлами
by: Максимович Г. Г. Георгий Григорьевич
Published: (Киев, Наукова думка, 1978)

Ч. 1 : Молекулярная, лазерная эпитаксия. Распределение примесей и дефектов
Published: (Новосибирск, Наука, 1984)

Математическое моделирование начальной стадии процесса внедрения ионов в поверхность металла в неизотермическом приближении
by: Парфенова Е. С.
Published: (2017)

Методы контроля качества монокристаллов арсенида галлия и фосфида индия эпитаксиальных слоев. Исследование распределения напряжений в монокристаллах и эпитаксиальных слоях Промежуточный отчет о НИР Тема: х/д 2-51/86
Published: (Томск, 1989)

Карбид кремния пер. с англ.
Published: (Москва, Мир, 1972)

Зарядовые свойства МОП-структур
by: Гурский Л. И. Леонид Ильич
Published: (Минск, Наука и техника, 1980)

Управление процессами массопереноса при получении поликристаллического кремния методом Бриджмена
by: Цивинская Ю. С.
Published: (2012)

Т. 2
Published: (1981)

Зарядовые свойства моп-структур
by: Гурский Л. И. Леонид Ильич
Published: (Минск, Наука и техника, 1980)

Кристаллизация и свойства кристаллов межвузовский сборник
Published: (Новочеркасск, Изд-во НПИ, 1985)

Вып. 5
Published: (1979)

К вопросу о физической природе реализации эффекта ускорения ползучести субмикрокристаллических материалов
by: Раточка И. В.
Published: (2004)

Химическое осаждение из газовой фазы, вызываемое ВЧ разрядом перевод № 18/ЭТ-1269
by: Стерлинг Х.
Published: (Москва, Изд-во ЦНИИТЭиНИ, 1967)