Получение эпитаксиальных структур кремния с контролируемым примесным профилем

Получение эпитаксиальных структур кремния с контролируемым примесным профилем

書目詳細資料
主要作者:	Харченко В. В. Валерий Владимирович
企業作者:	Академия наук Узбекской ССР (АН УзССР)
出版:	Ташкент, Фан, 1989
主題:	примеси эпитаксиальные структуры диффузионные модели автолегирование осаждение кинетика получение классификация практическая реализация
格式:	圖書
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=253699

相似書籍

Nhe Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon 1. Structure, Preparation, and Devices
出版: (Berlin, Springer-Verlag, 1984)

Карбид кремния
出版: (Киев, Гостехиздат, 1963)

The Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon II. Electronic and Vibrational Properties
出版: (Berlin, Springer-Verlag, 1984)

Контроль параметров полупроводниковых материалов и эпитаксиальных слоев
由: Батавин В. В. Виталий Васильевич
出版: (Москва, Советское радио, 1976)

Легирование эпитаксиальных слоев полупроводников
由: Харченко В. В. Валерий Владимирович
出版: (Ташкент, Фан, 1979)

Т. 2: Технологические аспекты
出版: (2011)

Дефекты и диффузия в эпитаксиальных структурах [монография]
由: Джафаров Т. Д. Таяр Джумшуд оглы
出版: (Ленинград, Наука, 1978)

Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе
由: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
出版: (Москва, Энергия, 1974)

Жидкофазная эпитаксия кремния
出版: (Москва, Металлургия, 1989)

Физико-химия термического окисления кремния в присутствии примесей
由: Миттова И. Я. Ирина Яковлевна
出版: (Воронеж, Изд-во Воронежского гос. ун-та, 1987)

Исследование влияния технологических параметров системы Ga-AsCl3-H2 - лигатура на рост и свойства эпитаксиальных структур GaAs для СВЧ-приборов диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 05.12.11
由: Чижевич Л. А.
出版: (Томск, [Б. и.], 1974)

Влияние дислокаций на люминесценцию эпитаксиальных слоев GaN
出版: (2015)

Осаждение из газовой фазы сокр. пер. с англ.
出版: (Москва, Атомиздат, 1970)

Фоторезисты-диффузанты в полупроводниковой технологии
出版: (Ленинград, Наука, 1984)

Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок монография
由: Александров Л. Н. Леонид Наумович
出版: (Новосибирск, Наука, 1978)

Получение осадка с высоким содержанием диоксида кремния из раствора гексафторосиликата аммония
出版: (2010)

Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке
出版: (2015)

Дефекты в кристаллах полупроводников сборник статей пер. с англ.
出版: (Москва, Мир, 1969)

Установка для получения поликристаллического кремния
出版: ()

Исследование применения высокочастотного тока в установке производства поликристаллического кремния
由: Козин К. А. Кирилл Андреевич
出版: (2010)

Основы конструирования и технологии производства радиоэлектронных средств. Интегральные схемы учебник для бакалавриата и магистратуры
出版: (Москва, Юрайт, 2016)

Исследование морфологии и спектральных свойств гетерокомпозиций GESI/SI, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Спец. 01.04.15
由: Лапин В. А. Вячеслав Анатольевич
出版: (Нальчик, 2013)

Установка для получения стержней поликристаллического кремния
出版: ()

Время-разрешенная люминесцентная спектроскопия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках Al2O3
由: Горина С. Г. Светлана Геннадьевна
出版: (2014)

Импульсная люминесцентная спектрометрия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках AL2O3
由: Сычева А. В.
出版: (2014)

Эпитаксиальные пленки
由: Палатник Л. С. Лев Самойлович
出版: (Москва, Наука, 1971)

Теория формирования эпитаксиальных наноструктур
由: Дубровский В. Г. Владимир Германович
出版: (Москва, Физматлит, 2009)

Диффузионные покрытия драгоценными металлами
由: Максимович Г. Г. Георгий Григорьевич
出版: (Киев, Наукова думка, 1978)

Математическое моделирование начальной стадии процесса внедрения ионов в поверхность металла в неизотермическом приближении
由: Парфенова Е. С.
出版: (2017)

Ч. 1 : Молекулярная, лазерная эпитаксия. Распределение примесей и дефектов
出版: (Новосибирск, Наука, 1984)

Методы контроля качества монокристаллов арсенида галлия и фосфида индия эпитаксиальных слоев. Исследование распределения напряжений в монокристаллах и эпитаксиальных слоях Промежуточный отчет о НИР Тема: х/д 2-51/86
出版: (Томск, 1989)

Карбид кремния пер. с англ.
出版: (Москва, Мир, 1972)

Зарядовые свойства МОП-структур
由: Гурский Л. И. Леонид Ильич
出版: (Минск, Наука и техника, 1980)

Управление процессами массопереноса при получении поликристаллического кремния методом Бриджмена
由: Цивинская Ю. С.
出版: (2012)

Т. 2
出版: (1981)

Зарядовые свойства моп-структур
由: Гурский Л. И. Леонид Ильич
出版: (Минск, Наука и техника, 1980)

Кристаллизация и свойства кристаллов межвузовский сборник
出版: (Новочеркасск, Изд-во НПИ, 1985)

Вып. 5
出版: (1979)

К вопросу о физической природе реализации эффекта ускорения ползучести субмикрокристаллических материалов
由: Раточка И. В.
出版: (2004)

Получение кремния для солнечной энергетики
由: Дьяченко А. Н. Александр Николаевич
出版: (2010)