• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Pokročilé
  • Получение эпитаксиальных струк...
  • Vytvořit citaci
  • Zaslat SMS
  • Poslat e-mailem
  • Vytisknout
  • Exportovat záznam
    • Exportovat do RefWorks
    • Exportovat do EndNoteWeb
    • Exportovat do EndNote
  • Trvalý odkaz
Aktarım Tamamlandı — 
Получение эпитаксиальных структур кремния с контролируемым примесным профилем

Получение эпитаксиальных структур кремния с контролируемым примесным профилем

Podrobná bibliografie
Hlavní autor: Харченко В. В. Валерий Владимирович
Korporativní autor: Академия наук Узбекской ССР (АН УзССР)
Jazyk:ruština
Vydáno: Ташкент, Фан, 1989
Témata:
Кремний > Физические основы
примеси
эпитаксиальные структуры
диффузионные модели
автолегирование
осаждение
кинетика
получение
классификация
практическая реализация
Médium: MixedMaterials Kniha
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=253699
  • Jednotky
  • Popis
  • Podobné jednotky
  • UNIMARC/MARC

Podobné jednotky

  • Nhe Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon 1. Structure, Preparation, and Devices
    Vydáno: (Berlin, Springer-Verlag, 1984)
  • Карбид кремния
    Vydáno: (Киев, Гостехиздат, 1963)
  • The Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon II. Electronic and Vibrational Properties
    Vydáno: (Berlin, Springer-Verlag, 1984)
  • Контроль параметров полупроводниковых материалов и эпитаксиальных слоев
    Autor: Батавин В. В. Виталий Васильевич
    Vydáno: (Москва, Советское радио, 1976)
  • Легирование эпитаксиальных слоев полупроводников
    Autor: Харченко В. В. Валерий Владимирович
    Vydáno: (Ташкент, Фан, 1979)