Фотоэлектрические и яркостные характеристики структур GaAs-ZnS для твердотельных преобразователей изображений: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10

Библиографические подробности
Главный автор:	Яскевич Т. М. Тамара Михайловна
Корпоративные авторы:	Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ) Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники, Томский государственный университет (ТГУ) Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (СФТИ) Научно-образовательный центр "Физика и электроника сложных полупроводников" (НОЦ ФЭСП)
Другие авторы:	Калыгина В. М. Вера Михайловна (научный руководитель)
Примечания:	Защита сост. 21.11.2013 г.
Язык:	русский
Опубликовано:	Томск, 2013
Предметы:	Преобразователи изображения оптико-электронные Полупроводники > Фотоэлектрические свойства ионизирующее излучение сцинтилляционные детекторы полупроводниковые детекторы электролюминесцентные конденсаторы слои сульфид цинка оптические характеристики электрические характеристики фотопроводимость рентгеновское излучение ИК-излучения влияние изображения твердотельные преобразователи авторефераты диссертаций
Формат:	Книга
Запись в KOHA:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=247059

Схожие документы