Фотоэлектрические и яркостные характеристики структур GaAs-ZnS для твердотельных преобразователей изображений: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10

Chi tiết về thư mục
Tác giả chính:	Яскевич Т. М. Тамара Михайловна
Nhiều tác giả của công ty:	Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ) Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники, Томский государственный университет (ТГУ) Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (СФТИ) Научно-образовательный центр "Физика и электроника сложных полупроводников" (НОЦ ФЭСП)
Tác giả khác:	Калыгина В. М. Вера Михайловна (научный руководитель)
Tóm tắt:	Защита сост. 21.11.2013 г.
Ngôn ngữ:	Tiếng Nga
Được phát hành:	Томск, 2013
Những chủ đề:	Преобразователи изображения оптико-электронные Полупроводники > Фотоэлектрические свойства ионизирующее излучение сцинтилляционные детекторы полупроводниковые детекторы электролюминесцентные конденсаторы слои сульфид цинка оптические характеристики электрические характеристики фотопроводимость рентгеновское излучение ИК-излучения влияние изображения твердотельные преобразователи авторефераты диссертаций
Định dạng:	Sách
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=247059

Những quyển sách tương tự