Фотоэлектрические и яркостные характеристики структур GaAs-ZnS для твердотельных преобразователей изображений, автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10

Bibliografske podrobnosti
Glavni avtor:	Яскевич Т. М. Тамара Михайловна
Corporate Authors:	Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ) Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники, Томский государственный университет (ТГУ) Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (СФТИ) Научно-образовательный центр "Физика и электроника сложных полупроводников" (НОЦ ФЭСП)
Drugi avtorji:	Калыгина В. М. Вера Михайловна (727)
Izvleček:	Защита сост. 21.11.2013 г.
Jezik:	ruščina
Izdano:	Томск, 2013
Teme:	ионизирующее излучение сцинтилляционные детекторы полупроводниковые детекторы электролюминесцентные конденсаторы слои сульфид цинка оптические характеристики электрические характеристики фотопроводимость рентгеновское излучение ИК-излучения влияние изображения твердотельные преобразователи авторефераты диссертаций
Format:	Knjiga
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=247059

Podobne knjige/članki