Фотоэлектрические и яркостные характеристики структур GaAs-ZnS для твердотельных преобразователей изображений, автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Bibliographic Details
Main Author:	Яскевич Т. М. Тамара Михайловна
Corporate Authors:	Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ) Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники, Томский государственный университет (ТГУ) Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (СФТИ) Научно-образовательный центр "Физика и электроника сложных полупроводников" (НОЦ ФЭСП)
Other Authors:	Калыгина В. М. Вера Михайловна (727)
Summary:	Защита сост. 21.11.2013 г.
Published:	Томск, 2013
Subjects:	ионизирующее излучение сцинтилляционные детекторы полупроводниковые детекторы электролюминесцентные конденсаторы слои сульфид цинка оптические характеристики электрические характеристики фотопроводимость рентгеновское излучение ИК-излучения влияние изображения твердотельные преобразователи авторефераты диссертаций
Format:	Book
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=247059

Similar Items