Фотоэлектрические и яркостные характеристики структур GaAs-ZnS для твердотельных преобразователей изображений: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10

Dades bibliogràfiques
Autor principal: Яскевич Т. М. Тамара Михайловна
Autor corporatiu: Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ) Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники, Томский государственный университет (ТГУ) Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (СФТИ) Научно-образовательный центр "Физика и электроника сложных полупроводников" (НОЦ ФЭСП)
Altres autors: Калыгина В. М. Вера Михайловна (научный руководитель)
Sumari:Защита сост. 21.11.2013 г.
Idioma:rus
Publicat: Томск, 2013
Matèries:
Format: Llibre
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=247059

MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 247059
005 20231101232251.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\268532 
090 |a 247059 
100 |a 20131216d2013 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a a dm 001zy 
200 1 |a Фотоэлектрические и яркостные характеристики структур GaAs-ZnS для твердотельных преобразователей изображений  |e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук  |e спец. 01.04.10  |f Т. М. Яскевич  |g Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ), Радиофизический факультет, Кафедра полупроводниковой электроники ; Томский государственный университет (ТГУ), Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (СФТИ), Научно-образовательный центр "Физика и электроника сложных полупроводников" (НОЦ ФЭСП) ; науч. рук. В. М. Калыгина 
210 |a Томск  |d 2013 
215 |a 22 с.  |c ил. 
300 |a Защита сост. 21.11.2013 г. 
320 |a Список публикаций автора: с. 19-21 (17 назв.). 
320 |a Библиография: с. 21-22 (12 назв.). 
606 1 |a Преобразователи изображения оптико-электронные  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\51204  |9 69807 
606 1 |a Полупроводники  |x Фотоэлектрические свойства  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50625  |9 69277 
610 1 |a ионизирующее излучение 
610 1 |a сцинтилляционные детекторы 
610 1 |a полупроводниковые детекторы 
610 1 |a электролюминесцентные конденсаторы 
610 1 |a слои 
610 1 |a сульфид цинка 
610 1 |a оптические характеристики 
610 1 |a электрические характеристики 
610 1 |a фотопроводимость 
610 1 |a рентгеновское излучение 
610 1 |a ИК-излучения 
610 1 |a влияние 
610 1 |a изображения 
610 1 |a твердотельные преобразователи 
610 1 |a авторефераты диссертаций 
675 |a 621.383.8(04)  |v 3 
675 |a 537.311.322:535(04)  |v 3 
686 |a 01.04.10  |2 oksvnk 
700 1 |a Яскевич  |b Т. М.  |g Тамара Михайловна 
702 1 |a Калыгина  |b В. М.  |g Вера Михайловна  |4 727 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ)  |b Радиофизический факультет  |b Кафедра полупроводниковой электроники  |c (2009- )  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\17230 
712 0 2 |a Томский государственный университет (ТГУ)  |b Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (СФТИ)  |b Научно-образовательный центр "Физика и электроника сложных полупроводников" (НОЦ ФЭСП)  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\18907 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20131216 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20131223  |g RCR 
942 |c BK