О люкс-вольтовой характеристике конденсаторной фотоэдс в системе Si-SiO2; Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]; Т. 280 : Неразрушающие методы контроля

التفاصيل البيبلوغرافية
Parent link:Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]/ Томский политехнический институт (ТПИ).— , 1944-1976
Т. 280 : Неразрушающие методы контроля.— 1975.— [С. 130-133]
المؤلف الرئيسي: Зайдман С. А.
مؤلفون آخرون: Курындина Н. К., Свирякин Д. И.
الملخص:Заглавие с титульного листа
Электронная версия печатной публикации
В работе исследуется люкс-вольтовая характеристика конденсаторной фотоэдс для системы Si-SiO2. Для сравнения с экспериментом приведены расчетные люкс-вольтовые характеристики для случаев отсутствия и наличия захвата неравновесных носителей на поверхностные состояния. Показано, что захват основных носителей может оказать заметное влияние на форму люкс-вольтовой характеристики. Объясняется наблюдаемое в эксперименте раннее насыщение люкс-вольтовой характеристики.
اللغة:الروسية
منشور في: 1975
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:Черно-белая версия для предварительного просмотра
Цветная версия без потери качества
التنسيق: الكتروني فصل الكتاب
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=238428

مواد مشابهة