О люкс-вольтовой характеристике конденсаторной фотоэдс в системе Si-SiO2; Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]; Т. 280 : Неразрушающие методы контроля

Chi tiết về thư mục
Parent link:Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]/ Томский политехнический институт (ТПИ).— , 1944-1976
Т. 280 : Неразрушающие методы контроля.— 1975.— [С. 130-133]
Tác giả chính: Зайдман С. А.
Tác giả khác: Курындина Н. К., Свирякин Д. И.
Tóm tắt:Заглавие с титульного листа
Электронная версия печатной публикации
В работе исследуется люкс-вольтовая характеристика конденсаторной фотоэдс для системы Si-SiO2. Для сравнения с экспериментом приведены расчетные люкс-вольтовые характеристики для случаев отсутствия и наличия захвата неравновесных носителей на поверхностные состояния. Показано, что захват основных носителей может оказать заметное влияние на форму люкс-вольтовой характеристики. Объясняется наблюдаемое в эксперименте раннее насыщение люкс-вольтовой характеристики.
Ngôn ngữ:Tiếng Nga
Được phát hành: 1975
Những chủ đề:
Truy cập trực tuyến:Черно-белая версия для предварительного просмотра
Цветная версия без потери качества
Định dạng: Điện tử Chương của sách
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=238428

Những quyển sách tương tự