О люкс-вольтовой характеристике конденсаторной фотоэдс в системе Si-SiO2
| Parent link: | Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]/ Томский политехнический институт (ТПИ).— , 1944-1976 Т. 280 : Неразрушающие методы контроля.— 1975.— [С. 130-133] |
|---|---|
| Huvudupphovsman: | |
| Övriga upphovsmän: | , |
| Sammanfattning: | Заглавие с титульного листа Электронная версия печатной публикации В работе исследуется люкс-вольтовая характеристика конденсаторной фотоэдс для системы Si-SiO2. Для сравнения с экспериментом приведены расчетные люкс-вольтовые характеристики для случаев отсутствия и наличия захвата неравновесных носителей на поверхностные состояния. Показано, что захват основных носителей может оказать заметное влияние на форму люкс-вольтовой характеристики. Объясняется наблюдаемое в эксперименте раннее насыщение люкс-вольтовой характеристики. |
| Språk: | ryska |
| Publicerad: |
1975
|
| Ämnen: | |
| Länkar: | Черно-белая версия для предварительного просмотра Цветная версия без потери качества |
| Materialtyp: | Elektronisk Bokavsnitt |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=238428 |