О люкс-вольтовой характеристике конденсаторной фотоэдс в системе Si-SiO2; Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]; Т. 280 : Неразрушающие методы контроля
| Parent link: | Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]/ Томский политехнический институт (ТПИ).— , 1944-1976 Т. 280 : Неразрушающие методы контроля.— 1975.— [С. 130-133] |
|---|---|
| Yazar: | |
| Diğer Yazarlar: | , |
| Özet: | Заглавие с титульного листа Электронная версия печатной публикации В работе исследуется люкс-вольтовая характеристика конденсаторной фотоэдс для системы Si-SiO2. Для сравнения с экспериментом приведены расчетные люкс-вольтовые характеристики для случаев отсутствия и наличия захвата неравновесных носителей на поверхностные состояния. Показано, что захват основных носителей может оказать заметное влияние на форму люкс-вольтовой характеристики. Объясняется наблюдаемое в эксперименте раннее насыщение люкс-вольтовой характеристики. |
| Dil: | Rusça |
| Baskı/Yayın Bilgisi: |
1975
|
| Konular: | |
| Online Erişim: | Черно-белая версия для предварительного просмотра Цветная версия без потери качества |
| Materyal Türü: | Elektronik Kitap Bölümü |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=238428 |