О люкс-вольтовой характеристике конденсаторной фотоэдс в системе Si-SiO2; Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]; Т. 280 : Неразрушающие методы контроля
| Parent link: | Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]/ Томский политехнический институт (ТПИ).— , 1944-1976 Т. 280 : Неразрушающие методы контроля.— 1975.— [С. 130-133] |
|---|---|
| প্রধান লেখক: | |
| অন্যান্য লেখক: | , |
| সংক্ষিপ্ত: | Заглавие с титульного листа Электронная версия печатной публикации В работе исследуется люкс-вольтовая характеристика конденсаторной фотоэдс для системы Si-SiO2. Для сравнения с экспериментом приведены расчетные люкс-вольтовые характеристики для случаев отсутствия и наличия захвата неравновесных носителей на поверхностные состояния. Показано, что захват основных носителей может оказать заметное влияние на форму люкс-вольтовой характеристики. Объясняется наблюдаемое в эксперименте раннее насыщение люкс-вольтовой характеристики. |
| ভাষা: | রুশ |
| প্রকাশিত: |
1975
|
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | Черно-белая версия для предварительного просмотра Цветная версия без потери качества |
| বিন্যাস: | বৈদ্যুতিক গ্রন্থের অধ্যায় |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=238428 |
MARC
| LEADER | 00000nla2a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 238428 | ||
| 005 | 20231031205131.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\book\259617 | ||
| 035 | |a RU\TPU\book\259616 | ||
| 090 | |a 238428 | ||
| 100 | |a 20130527d1975 k y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 135 | |a drnn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 200 | 1 | |a О люкс-вольтовой характеристике конденсаторной фотоэдс в системе Si-SiO2 |b Электронный ресурс |f С. А. Зайдман, Н. К. Курындина, Д. И. Свирякин | |
| 203 | |a Текст |c электронный | ||
| 215 | |a 2 файла (135 Кб, 3.4 Мб) | ||
| 230 | |a Электронные текстовые данные (2 файла : 135 Кб, 3.4 Мб) | ||
| 300 | |a Заглавие с титульного листа | ||
| 300 | |a Электронная версия печатной публикации | ||
| 320 | |a [Библиогр.: с. 133 (4 назв.)] | ||
| 330 | |a В работе исследуется люкс-вольтовая характеристика конденсаторной фотоэдс для системы Si-SiO2. Для сравнения с экспериментом приведены расчетные люкс-вольтовые характеристики для случаев отсутствия и наличия захвата неравновесных носителей на поверхностные состояния. Показано, что захват основных носителей может оказать заметное влияние на форму люкс-вольтовой характеристики. Объясняется наблюдаемое в эксперименте раннее насыщение люкс-вольтовой характеристики. | ||
| 337 | |a Adobe Reader | ||
| 461 | 1 | |0 (RuTPU)RU\TPU\book\200995 |t Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ] |f Томский политехнический институт (ТПИ) |d 1944-1976 | |
| 463 | 1 | |0 (RuTPU)RU\TPU\book\259417 |t Т. 280 : Неразрушающие методы контроля |v [С. 130-133] |d 1975 |p 145 с. | |
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 675 | |a 537.311.33 |v 3 | ||
| 700 | 1 | |a Зайдман |b С. А. | |
| 701 | 1 | |a Курындина |b Н. К. | |
| 701 | 1 | |a Свирякин |b Д. И. | |
| 801 | 1 | |a RU |b 63413507 |c 20090320 |g PSBO | |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20130531 |g PSBO | |
| 856 | 4 | |u http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/1975/v280/31_bw.pdf |z Черно-белая версия для предварительного просмотра | |
| 856 | 4 | |u http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/1975/v280/31_full.pdf |z Цветная версия без потери качества | |
| 942 | |c CF | ||