Зайдман С. А., Курындина Н. К., & Свирякин Д. И. (1975). О люкс-вольтовой характеристике конденсаторной фотоэдс в системе Si-SiO2; Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]; Т. 280: Неразрушающие методы контроля. 1975.
Trích dẫn kiểu Chicago (xuất bản lần thứ 7)Зайдман С. А., Курындина Н. К., và Свирякин Д. И. О люкс-вольтовой характеристике конденсаторной фотоэдс в системе Si-SiO2; Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]; Т. 280: Неразрушающие методы контроля. 1975, 1975.
Trích dẫn kiểu MLA (xuất bản lần thứ 9)Зайдман С. А., et al. О люкс-вольтовой характеристике конденсаторной фотоэдс в системе Si-SiO2; Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]; Т. 280: Неразрушающие методы контроля. 1975, 1975.
Cảnh báo: Các trích dẫn này có thể không phải lúc nào cũng chính xác 100%.