|
|
|
|
| LEADER |
00000nla2a2200000 4500 |
| 001 |
237494 |
| 005 |
20231031204847.0 |
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\book\258668
|
| 035 |
|
|
|a RU\TPU\book\258662
|
| 090 |
|
|
|a 237494
|
| 100 |
|
|
|a 20130516d2012 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|g eng
|g rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a y z 101zy
|
| 135 |
|
|
|a drcn ---uucaa
|
| 181 |
|
0 |
|a i
|
| 182 |
|
0 |
|a b
|
| 200 |
1 |
|
|a Получение меза-структур методом реактивного ионно-плазменного травления
|b Электронный ресурс
|f Ю. И. Ходыревская
|g науч. рук. С. Е. Романенко
|d Obtaining of mesa structures by reactive ion-plasma etching
|
| 203 |
|
|
|a Текст
|c электронный
|
| 215 |
|
|
|a 1 файл(360 Кб)
|
| 225 |
1 |
|
|a Физика
|
| 230 |
|
|
|a Электронные текстовые данные (1 файл: 360 Кб)
|
| 300 |
|
|
|a Заглавие с экрана
|
| 320 |
|
|
|a [Библиогр.: с. 259 (3 назв.)]
|
| 330 |
|
|
|a This report is devoted to obtaining deep profiles in the crystal of silicon carbide. detail the sequence of different stages of the experiment. Also the influence of the parameters, in which the etching takes place, on various facets of the crystal was studied. In addition, the dependence of one of the main etching parameters, such as etching rate, on the pressure of the plasma was obtained.
|
| 337 |
|
|
|a Adobe Reader
|
| 463 |
|
1 |
|0 (RuTPU)RU\TPU\book\256864
|t Перспективы развития фундаментальных наук
|l Prospects of fundamental sciences development
|o сборник научных трудов IX Международной конференция студентов и молодых ученых, г. Томск, 24-27 апреля 2012 г.
|f Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; ред. коллегия Е. А. Вайтулевич ; Г. А. Лямина ; Г. А. Воронова ; М. П. Никитич ; А. М. Лидер ; Ю. Р. Цой ; М. Е. Семенов
|v [С. 257-259]
|d 2012
|
| 510 |
1 |
|
|a Obtaining of mesa structures by reactive ion-plasma etching
|z eng
|
| 610 |
1 |
|
|a электронный ресурс
|
| 610 |
1 |
|
|a труды учёных ТПУ
|
| 610 |
1 |
|
|a структуры
|
| 610 |
1 |
|
|a реактивные процессы
|
| 610 |
1 |
|
|a ионно-плазменное травление
|
| 700 |
|
1 |
|a Ходыревская
|b Ю. И.
|
| 702 |
|
1 |
|a Романенко
|b С. Е.
|c специалист в области энергетики
|c инженер Томского политехнического университета
|f 1985-
|g Сергей Евгеньевич
|2 stltpush
|4 727
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20101016
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20131017
|g RCR
|
| 856 |
4 |
|
|u http://www.lib.tpu.ru/fulltext/c/2012/C21/083.pdf
|
| 942 |
|
|
|c CF
|
