Получение меза-структур методом реактивного ионно-плазменного травления
| Parent link: | Перспективы развития фундаментальных наук=Prospects of fundamental sciences development: сборник научных трудов IX Международной конференция студентов и молодых ученых, г. Томск, 24-27 апреля 2012 г./ Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; ред. коллегия Е. А. Вайтулевич ; Г. А. Лямина ; Г. А. Воронова ; М. П. Никитич ; А. М. Лидер ; Ю. Р. Цой ; М. Е. Семенов. [С. 257-259].— , 2012 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Other Authors: | |
| Summary: | Заглавие с экрана This report is devoted to obtaining deep profiles in the crystal of silicon carbide. detail the sequence of different stages of the experiment. Also the influence of the parameters, in which the etching takes place, on various facets of the crystal was studied. In addition, the dependence of one of the main etching parameters, such as etching rate, on the pressure of the plasma was obtained. |
| Published: |
2012
|
| Series: | Физика |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.lib.tpu.ru/fulltext/c/2012/C21/083.pdf |
| Format: | Electronic Book Chapter |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=237494 |