• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Avanzata
  • Метод ионной имплантации в тех...
  • Citazione
  • Invia SMS
  • Invia email
  • Stampa
  • Esporta il record
    • Esporta a RefWorks
    • Esporta a EndNoteWeb
    • Esporta a EndNote
  • PLink permanente
Метод ионной имплантации в технологии приборов и интегральных схем на арсениде галлия

Метод ионной имплантации в технологии приборов и интегральных схем на арсениде галлия

Dettagli Bibliografici
Autore principale: Черняев А. В. Александр Владимирович
Lingua:russo
Pubblicazione: Москва, Радио и связь, 1990
Soggetti:
Галлий, арсенид
Полупроводники > Физико-химические исследования
Полупроводниковые приборы > Производство
Легирование ионное > Технология
ионы
имплантация
радиационные дефекты
отжиг
диоды
транзисторы
интегральные схемы
оптоэлектроника
Natura: Libro
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=222793
  • Posseduto
  • Descrizione
  • Documenti analoghi
  • MARC21

Documenti analoghi

  • Технология ионного легирования: пер. с яп.
    Pubblicazione: (Москва, Советское радио, 1974)
  • Диффузионные структуры на основе арсенида галлия, легированного Fe и Cr: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
    di: Прудаев И. А. Илья Анатольевич
    Pubblicazione: (Томск, 2009)
  • Самокаталитический рост планарных нанопороволок и ленгмюровское испарение GaAs: моделирование методом Монте Карло: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
    di: Спирина А. А. Анна Александровна
    Pubblicazione: (Новосибирск, 2023)
  • Исследование точностных характеристик методики определения хрома в арсениде галлия; Электрохимические методы анализа
    di: Сараева В. Е.
    Pubblicazione: (1989)
  • Trap Level Spectroscopy in Amorphous Semiconductors
    di: Mikla V. I. Victor
    Pubblicazione: (Amsterdam, Elsevier, 2010)